1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 理学

二维磁性V(Nb)Si2N4-MoSi2N4-V(Nb)Si2N4异质结中界面增强的光生电流效应.pdf

二维磁性V(Nb)Si2N4-MoSi2N4-V(Nb)Si2N4异质结中界面增强的光生电流效应.pdf

    摘要

    摘要

    二维磁性半导体材料中的光生电流效应（photogalvaniceffect）可产生纯自旋

    流、完全自旋极化的光电流，在自旋电子学领域具有应用潜力，激发了广泛的研

    究兴趣。其中，光生电流效应的自旋输运性质是一个重要的研究课题。有实验表

    明，电极是影响光生电流效应的重要因素，但目前的研究鲜有涉及电极对磁性器

    件中光生电流效应的影响以及对光电流自旋输运性质的调控。针对这一问题，本

    文采用量子输运方法研究二维磁性异质结中

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >