AgSnO_(2)触头材料在Ni-S共掺杂下的第一原理性计算.pdfVIP

４０１理Ｖｏｌ.４０Ｎｏ.１

２０２３年２月ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＡＴＯＭＩＣＡＮＤＭＯＬＥＣＵＬＡＲＰＨＹＳＩＣＳＦｅｂ.２０２３

J.At.Mol.Phys.,2023,40:016005(7pp)

ＡｇＳｎＯ触头材料在Ｎｉ－Ｓ共掺杂下的第一原理性计算２

刘文涛ꎬ朱建国ꎬ程思远

(三峡大学电气与新能源学院ꎬ宜昌４４３００２)

摘要:该研究采用掺杂的方式对ＳｎＯ的导电性能进行改良ꎬ基于密度泛函理论的第一性原理ꎬ运用

２

ＣＡＳＴＥＰ软件对单掺杂Ｎｉ－ＳｎＯ、Ｓ－ＳｎＯ和共掺杂Ｎｉ－Ｓ－ＳｎＯ的晶格参数、能带结构、电子态密度进行

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了计算ꎬ并对其电荷布居进行了分析结果表明:Ｓ单掺杂时ꎬ晶胞体积略微增大ꎻＮｉ单掺杂时ꎬ晶胞体积

略微减小ꎻ而Ｎｉ－Ｓ共掺杂时ꎬ晶胞体积略微增大但增大幅度小于Ｓ单掺杂时的晶胞体积与未掺杂相比ꎬ

掺杂使得晶胞禁带减小、杂质能级增多、电子跃迁能减小ꎬ使其导电性增强ꎬ同时ꎬ掺杂使得费米能级附近

峰值减小ꎬ局域性下降ꎬ原子间成键更强ꎬ材料更稳定

关键词:ＡｇＳｎＯ电触头材料ꎻ第一原理性分析ꎻ共掺杂ꎻ电性能

２

中图分类号:Ｏ４８２文献标识码:ＡＤＯＩ:10.19855/j.1000￣0364.2023.016005

Ｆｉｒｓｔ－ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆＡｇＳｎＯｃｏｎｔａｃｔｍａｔｅｒｉａｌｓｕｎｄｅｒＮｉ－Ｓｃｏ－ｄｏｐｅｄ

２

ＬＩＵＷｅｎ￣ＴａｏꎬＺＨＵＪｉａｎ￣ＧｕｏꎬＣＨＥＮＧＳｉ￣Ｙｕａｎ

(ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ＆ＮｅｗＥｎｅｒｇｙꎬＣｈｉｎａＴｈｒｅｅＧｏｒｇｅｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＹｉｃｈａｎｇ４４３００２ꎬＣｈｉｎａ)

Ａｂｓｔｒａｃｔ:ＴｈｅｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｏｆＳｎＯｃａｎｂｅｉｍｐｒｏｖｅｄｂｙｄｏｐｉｎｇＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ

２

ｔｈｅｏｒｙꎬｔｈｅｌａｔｔｉｃｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓꎬｅｎｅｒｇｙｂａｎｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｎｓｉｔｉｅｓｏｆｓｔａｔｅｓｏｆｓｉｎｇｌｅｄｏｐｅｄＮｉ－

ＳｎＯꎬＳ－ＳｎＯａｎｄｃｏ－ｄｏｐｅｄＮｉ－Ｓ－ＳｎＯａｒｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｂｙＣＡＳＴＥＰｓｏｆｔｗａｒｅꎬａｎｄｔｈｅｉｒｃｈａｒｇｅｌａｙｏｕｔｓａｒｅ

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ａｎａｌｙｚｅｄＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｃｅｌｌｖｏｌｕｍｅｉｎｃｒｅａｓｅｓｓｌｉｇｈｔｌｙｆｏｒＳｓｉｎｇｌｅｄｏｐｉｎｇꎬｗｈｅｒｅａｓｉｔｄｅｃｒｅａｓｅｓｓｌｉｇｈｔ￣

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ｌｅｓｓｔｈａｎｔｈａｔｏｆＳｓｉｎ