第一章 半导体器件基础.pptVIP

输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=?IB,且?IC=??IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V(3)截止区：UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO?0*第62页，共120页，星期日，2025年，2月5日三、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和?*第63页，共120页，星期日，2025年，2月5日例：UCE=6V时：IB=40?A,IC=1.5mA；IB=60?A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?=*第64页，共120页，星期日，2025年，2月5日2.集-基极反向截止电流ICBO?AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。*第65页，共120页，星期日，2025年，2月5日BECNNPICBOICEO=?IBE+ICBOIBE?IBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。*第66页，共120页，星期日，2025年，2月5日4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。*第67页，共120页，星期日，2025年，2月5日6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的功率为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区*第68页，共120页，星期日，2025年，2月5日测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大VcVbVe放大VcVbVe发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。例1：*第69页，共120页，星期日，2025年，2月5日测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。放大例2：*第70页，共120页，星期日，2025年，2月5日场效应管*第71页，共120页，星期日，2025年，2月5日场效应管结型场效应管场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。1.结构*第72页，共120页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理N沟道PN结N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。*第73页，共120页，星期日，2025年，2月5日①栅源电压VGS对iD的控制作用当VGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；VGS更负，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。*第74页，共120页，星期日，2025年，2月5日②漏源电压VDS对iD的影响在栅源间加电压VGS＞VP，漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的