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第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅晶体管模型第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日KG玻璃钝化玻璃钝化单向可控硅平面和纵向结构第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日栅极悬空时，BG1和BG2截止,没有电流流过负载电阻RL。栅极输入一个正脉冲电压时,BG2道通，VCE(BG2)下降，VBE(BG1)升高。正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态。由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不变。

可控硅工作原理-导通第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日可控硅工作原理-截止阳极和阴极加上反向电压BG1和BG2截止。加大负载电阻RL使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少。当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路翻转为截止状态。这个电流为维持电流。

第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日关闭电流（IL)单向可控硅I-V曲线正向导通电压（VTM)正向导通电流(IT)正向漏电流（Idrm)击穿电压(Vdrm)反向漏电流（Irm)击穿电压(Vrm)维持电流（IH)闭锁电流（IL）第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅反向特性条件：控制极开路，阳极加上反向电压时分析：J2结正偏，但J1、J2结反偏。当J1，J3结的雪崩击穿后，电流迅速增加，如特性OR段所示，弯曲处的电压URRM叫反向转折电压，也叫反向重复峰值电压。结果：可控硅会发生永久性反向击穿。第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅正向特性条件：控制极开路，阳极加正向电压分析：J1、J3结正偏，J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，如特性OA段所示，弯曲处的是UDRM叫：正向转折电压，也叫断态重复峰值电压。结果：正向阻断状态。第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅负阻特性及导通条件：J2结的雪崩击穿分析：J2结的雪崩击穿后J2结发生雪崩倍增效应，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降。结果：出现所谓负阻特性正向导通条件：电流继续增加分析：J1、J2、J3三个结均处于正偏，它的特性与普通的PN结正向特性相似，结果：可控硅便进入正向导电状态---通态，第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅触发导通条件：控制极G上加入正向电压分析：J3正偏，形成触发电流IGT。内部形成正反馈，加上IGT的作用，图中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。结果：可控硅提前导通。第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位

2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位

2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位

2、阳极电流小于维持电流任一条件即可单向可控硅导通和关断条件第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅电参数序号参数符号1额定通态峰值电流IT(RMS)2额定通态平均电流IT(AV)3不重复通态浪涌电流IT(TSM)4断态重复峰值电压VDRM5反向重复峰值电压VRRM6断态重复平均电流IDRM7反向重复平均电流IRRM8通态平均电压VTM9控制极触发电流IGT10控制极触发电压VGT第12页，共25页，星期日，2025年，2月5日单向可控硅电参数序号参数符号11门极（触发极）峰值电流I(GM)12门极（触发极）峰值电压V(GM)13门极（触发极）反向峰值电压V(RGM)14门极（触发极）峰值功耗P(GM)15门极（触发极）平均功耗PG(AV)16断态电压换向变化率dVD/dt17通态电流换向变化率dIT/dt18控制极触发导通时间tgt19维持电流IH20关闭电流IL第13页，共25页，星期日，2025年，2月5日双向可控硅等效结构第14页，共25页，星期日，2025年，2月5日双向可控硅触发模式第15页，共25页，星期日，2025年，2月5日双向可控硅触发命名第16页，共25页，星期日，2025年，2月5日双向可控硅平面和纵向结构T1G第17页，共25页，星期日，2025年，2月5日铜芯线电流估算双向可控硅I-V曲线第18页，共25页，星期日，2025年，2月5日