第1章模电常用半导体器件.ppt

2?发光二极管1）普通发光二极管2）红外线发光二极管3）激光发光二极管第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日3?光电二极管4?变容二极管第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日1.3半导体三极管及模型半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日一.BJT的结构NPN型PNP型符号:三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日二.BJT的分类1）按结构分：NPN管和PNP管；2）按制作材料分：硅管和锗管；3）按工作频率分：高频管和低频管；4）按功率大小分：大、中、小功率管；5）按工作状态分：放大管和开关管第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日三．BJT的内部工作原理（NPN管）三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结正偏：+UCE－＋UBE－＋UCB－集电结反偏：由VBB保证由VCC、VBB保证UCB=UCE-UBE0共发射极接法c区b区e区第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日（1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。所以发射极电流IE≈IEN。（2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流IB≈IBN。大部分到达了集电区的边缘。1．BJT内部的载流子传输过程第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日（3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN。

另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日2．电流分配关系三个电极上的电流关系:IE=IC+IB定义：(1)IC与IE之间的关系:所以:其值的大小约为0.9～0.99。第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日(2)IC与IB之间的关系：联立以下两式：得：所以：得：令：第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日四.BJT的特性曲线（共发射极接法）(1)输入特性曲线iB=f(uBE)?uCE=const（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。（3）uCE≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，在同一uBE电压下，iB减小。特性曲线将向右稍微移动一些。死区电压硅0.5V锗0.1V导通压降硅0.7V锗0.3V第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日(2)输出特性曲线iC=f(uCE)?iB=const现以iB=60uA一条加以说明。（1）当uCE=0V时，因集电极无收集作用，iC=0。（2）uCE↑→Ic↑。（3）当uCE＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。同理，可作出iB=其他值的曲线。第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7V。此时发射结正偏，集电结也正偏。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。放