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Ni基二维材料的结构调控与磁学性能研究

摘要

本论文旨在深入研究二维镍基材料（NiX，XS，Se，Te，O）的制备、结构表征

及其性能。鉴于二维镍基材料在红外光电探测器和自旋电子器件中的潜在应用，本论文

采用化学气相沉积（CVD）方法在氟金云母衬底上制备了六方NiSe纳米片和NiO/NiSe2

垂直异质结，并对其晶体结构、光电性和磁性等性能进行了系统研究。

首先，本论文综述了二维材料的研究现状，特别是二维镍基材料因其独特的磁序和

电学特性而受到广泛关注。接着，详细介绍了实验所需的仪器、试剂以及材料制备和性

能表征的方法，包括样品的制备流程、电子器件的构筑以及利用多种先进表征手段进行

结构与性能分析的方法。

通过CVD方法，本论文成功在氟金云母衬底上制备了高质量超薄六方NiSe纳米

片。通过XRD、TEM和EDS等多种表征手段证明CVD制备的单晶NiSe纳米片具有高

质量结晶性和环境稳定性。由于高晶体质量带来的抑制自旋涨落和促进交换相互作用，

NiSe纳米片表现出室温铁磁有序性，具有与厚度相关的垂直磁各向异性和从面内到面

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外取向的自旋翻转。此外，纳米片表现出典型的金属行为，具有~4.89×10sm的优异

电导率，并且在近红外照射下具有强光响应，净光电流高达0.12mA。这些与正磁阻一

起，为未来红外光电探测器和自旋电子器件的潜在应用提供了重要支持。

此外，本论文还首次通过一步CVD方法在氟金云母衬底上合成了NiO/NiSe2垂直

异质结。通过多种表征手段，证实了其高质量晶体结构。研究表明，NiO/NiSe2垂直异质

结具有室温亚铁磁性，并表现出明显的磁各向异性和面外易磁化轴。这一发现为构筑高

性能自旋电子器件提供了新的材料基础。

最后，本论文对研究工作进行了总结，并讨论了二维镍基材料的可控合成和新颖物

理性能方面的科学问题和未来发展方向。指出了进一步探索二维镍基材料的合成方法、

物理性能调控机制以及拓展应用领域的重要性。

综上所述，本论文通过CVD方法成功制备了六方NiSe纳米片和NiO/NiSe2垂直异

质结，并对其结构与性能进行了深入研究。这些研究不仅丰富了二维镍基材料的制备方

法和物理性能数据库，还为红外光电探测器和自旋电子器件的发展提供了重要的理论和

实验依据。未来，将进一步深入研究二维镍基材料的可控合成、性能调控以及应用拓展，

推动其在相关领域的发展。

【关键词】：化学气相沉积；NiSe；NiO/NiSe；光响应；亚铁磁性；磁滞电阻

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Researchonstructuralcontrolandmagnetic

PropertiesofNi-basedtwo-dimensional

materials

Abstract

Thispaperaimstoconductanin-depthstudyofthepreparation,structuralcharacterization

andperformancecharacteristicsoftwo-dimensionalnickel-basedmaterials(NiX,XS,Se,Te,

O).Inviewofthepotentialapplicationoftwo-dimensionalnickel-basedmaterialsininfrared

photodetectorsandspintronicdevices,thispaperuseschemicalvapordeposition(CVD)

methodtopreparehexagonalNiSe