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5G超宽带低功耗LNA研究与设计
摘要
随着无线通信迅猛发展，5G通信技术凭借其高速率、低延迟和大容量特性，在我
国智慧城市的建设中发挥了关键作用。然而，作为5G通信技术的核心，射频芯片依然
被海外巨头垄断。截至2021年，国内射频前端芯片市场85%的份额被美日厂商占据。
面对美国对中国芯片产业的打压，以及限制中国获取先进芯片等种种行为，国内射频芯
片的自主研发显得尤为重要。作为射频链路中首个有源放大模块，低噪声放大器的性能
会直接影响整体链路的噪声系数和稳定性，且宽带化和低功耗的低噪声放大器能够适应
5G通信需求。因此，自主研发适用于5G通信的宽带低功耗低噪声放大器，对突破国内
芯片发展瓶颈具有重大意义。
本文针对拓宽低噪声放大器的电路带宽、降低电路功耗以及优化噪声和降低电路面
积等方面展开了研究，具体工作如下：
基于国内55nmRF-SOI工艺，实现了一款用于5G通信的宽带低噪放。该款放大器
采用Cascode结构，通过引入极点调控技术拓展电路增益带宽。针对电路稳定性差的问
题，采用“T型”输出匹配网络优化了电路稳定性。仿真结果表明，电路在3.3~3.7GHz
频段最小噪声系数仅1.08dB，最大增益达到19.79dB，且具有优异的增益平坦度。放大
器直流功耗为21.7mW，1dB压缩点4.69dBm，经测试，电路在3.6~4.2GHz频段实现
最小噪声1.55dB、最大增益15.55dB、1dB压缩点-11.61dBm及22.3mW的直流功耗。
基于65nmCMOS工艺，设计了一款用于5/6G通信的超宽带低功耗紧凑型低噪放，
该放大器采用PMOS-NMOS互补性电流复用结构，通过引入反馈的方式拓展电路带宽
的同时省略了偏置电路绘制，降低电路复杂度。针对电路噪声系数较高问题，采用电压
—电流双重消噪技术优化电路噪声，并通过变压器正反馈与负反馈相结合的方法减小电
路面积的同时，拓展电路增益带宽，并提升电路稳定性。经仿真，电路在2~8GHz的超
宽带范围内最小噪声系数为1.7dB，最大增益达到了18.7dB，电路直流功耗仅13.2mW。
【关键词】：5G通信；低噪声放大器；SOI工艺；电流复用技术；极点调控技术；变压
器结构
Researchanddesignof5Gultrawidebandlow-power
LNA
Abstract
Withtherapiddevelopmentofwirelesscommunication,5Gcommunicationtechnology
hasplayedacrucialroleintheconstructionofsmartcitiesinChinaduetoitshighspeed,low
latency,andlargecapacitycharacteristics.However,asthecoreof5Gcommunication
technology,RFchipsarestillmonopolizedbyoverseasgiants.Asof2021,85%ofthedomestic
RFfront-endchipmarketsharehasbeenoccupiedbyAmericanandJapanesemanufacturers.
FacedwiththeUnitedStatessuppressionofChinaschipindustryandvariousbehaviorssuch
asrestrictingChinasaccesstoadvancedchips,independentresearchanddevelopmentof
domesticRFchipsisparticularlyimportant.Asthefirstactiveamplificationmoduleint
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