CsPb(Br_Cl)3准二维钙钛矿薄膜制备与深蓝光LED器件性能研究.pdfVIP

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准二维钙钛矿薄膜制备与深蓝光

LED器件性能研究

摘要

金属卤化物钙钛矿(Metalhalideperovskite,MHP)在显示领域展现的卓越能力,让钙

钛矿发光二极管(Perovskitelight-emittingdiodes,PeLED)成为了下一代光源的有力候选。

其中,钙钛矿蓝光LED的意义远大于红光和绿光,但是蓝光PeLED大多数研究都集中

在天蓝光波段,而显示领域所需要的蓝光更靠近纯蓝光以及深蓝光,这严重制约了钙钛

矿蓝光发光器件在高端显示领域的应用,因此实现高效稳定的钙钛矿深蓝光发光器件具

有重大意义。本论文基于氯溴共混体系CsPb(Br/Cl)3构建准二维钙钛矿发光二极管,从

材料开发和器件结构优化两个角度出发,实现深蓝光发射,提升器件的发光性能和稳定

性。具体工作如下:

(1)通过向氯溴共混体系CsPb(Br/Cl)3中掺杂苯乙基氯化铵(PEACl),构建准二维结

-

构的同时提供更多Cl调控发光波长,实现PEACsPb(Cl/Br)钙钛矿薄膜的发光波长

x1-x3

从486nm至452nm的蓝移。选取最优浓度为0.6MPEACl,其钙钛矿薄膜的形貌致密

平整,晶粒较小,表面粗糙度低,结晶性良好,实现了位于深蓝区域460nm发光,半

峰宽较窄为20.03nm,色纯度高,平均荧光寿命为38.15ns。同时掺杂0.6MPEACl的

钙钛矿薄膜拥有表面富氯相,实现了明亮的光致发光发射,PLQY为49%,提升了光致

发光量子产率,并且相比于原始钙钛矿在480s内PL光谱发光峰位从486nm红移到

512nm,其PL光谱始终保持在460nm发光峰位,未出现红移现象,解决了混合卤素钙

钛矿体系中严重的光致相分离问题,提高了光谱的稳定性。

(2)首先制备了基于PEDOT:PSS为空穴传输层的PEACsPb(Cl/Br)准二维钙钛

x1-x3

矿发光器件,其初始EL光谱发光峰位位于481nm,与PL光谱相差21nm,并且随着

电压升高出现大范围红移,具有光谱不稳定性。针对器件中电子与空穴传输速率不平衡

的问题,制备基于NiO/PVK为双空穴传输层的复合结构制备钙钛矿发光器件,以浓度

x

为2.5M的NiOx薄膜均匀致密且具有较低的表面粗糙度,选取其为最优浓度制备钙钛

矿发光器件。其初始EL光谱发光峰位位于471nm,具有良好的光谱稳定性。采用

NiO/PVK为双空穴传输层的发光器件最大亮度和最大电流效率分别为28039cd/m2和

x

,而以PEDOT:PSS为空穴传输层的发光器件最大亮度和最大电流效率分别为

2和0.2cd/A,两者对比,发光器件的最大亮度和最大电流效率提高了2.7倍

10403cd/m

和11倍。

【关键词】:混合卤素钙钛矿;深蓝光;空穴传输层;发光二极管;稳定性

Deepbluelightemissionbasedonquasi-two-

dimensionalCsPb(Br/Cl)3preparationof

perovskitefilmandapplicationinlight-emitting

diodes

Abstract

Metalhalideperovskite(MHP)havedemonstratedexcellentcapabiliti

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