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CrTe单晶纳米片的可控制备与物性研究
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摘要
自2017年二维原子级CrI和CrGeTe被证明具有本征磁有序之后，二维磁性材料
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受到学术界关注。过渡金属硫族化合物（TransitionMetalChalcogenides,TMC）中的铬
基硫族化合物为典型磁学材料的代表，因其卓越的磁学特性使其在磁存储器件和自旋电
子学方面有着极大应用前景。目前，二维磁性材料的种类和制备方法有限，样品的稳定
性也是一个巨大的挑战，不利于实际应用，而且CrTe家族成员众多，不同的Cr/Te元
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素比会导致不同的物理特性，于是开发简单、可控、成本低的合成方法，研发高速、低
功耗的自旋电子器件迫在眉睫。基于以上现状，本论文利用常压化学气相沉积法
（AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition,APCVD）实现了二维CrTe的可控制
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备，并通过调整助熔剂NaCl的使用比例、生长时间及氢氩混合气的流量对二维CrTe
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纳米片的形状、横向尺寸与厚度进行有效控制。此外，我们对其光学、电学和磁学性质
进行了深入探索。具体的研究内容如下：
首先，我们借助APCVD法，选取CrCl和Te作为反应前驱体在氟金云母衬底制备
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了二维CrTe纳米片。通过对透射电子显微镜（TransmissionElectronMicroscope,TEM）、
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X射线光电子能谱（X-rayPhotoelectronSpectroscopy,XPS）、X射线衍射（X-Ray
Diffraction,XRD）、原子力显微镜（AtomicForceMicroscope,AFM）和拉曼（Raman）
等多种表征结果进行分析，可以证明我们合成的二维CrTe纳米片具有超高的晶体质量，
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并且材料具有两个月以上的稳定性。研究表明，适量NaCl的引入可以增大Cr元素的饱
和蒸气压，助力二维CrTe材料的可控制备。通过改变生长时间，可以实现二维CrTe
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纳米片横向尺寸（6-90μm）的有效调控。随着H/Ar混合气体流速的改变，能够有效调
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控材料的厚度。另一方面，我们借助湿法转移技术成功将CrTe转移至SiO/Si和铜网
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等目标衬底上。因为整个转移过程不涉及强酸强碱溶液以及温和的转移机制，所以最大
程度保证了纳米片的完整形貌和晶体质量。
其次，我们对二维CrTe纳米片的光学、电学输运、磁学三个方面的物性进行了系
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统研究。CrTe具有平面外A和平面内E两种振动模式，偏振拉曼光谱散射强度依赖
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角度极坐标图表明，二维CrTe纳米片的A和E两种振动模式具有四重对称性、高度
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光学正交性。由于原子间振动受材料厚度影响，80nm厚度2D-CrTe材料的A和E
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