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2025年ic工艺期末试题及答案

一、选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C

解析：极紫外光刻（EUV）使用波长为13.5nm的极紫外光，其波长比紫外光刻、深紫外光刻更短，能够实现更高的分辨率。电子束光刻虽然分辨率也很高，但它是一种直写技术，生产效率低，不适合大规模集成电路制造。所以在大规模集成电路制造中极紫外光刻分辨率最高。

2.化学机械抛光（CMP）的主要作用是（）

A.去除光刻胶

B.实现晶圆表面的全局平坦化

C.刻蚀硅衬底

D.注入杂质

答案：B

解析：化学机械抛光（CMP）是通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用，对晶圆表面进行平坦化处理，以实现全局平坦化，保证后续工艺的均匀性。去除光刻胶一般使用光刻胶去除剂；刻蚀硅衬底有专门的刻蚀工艺；注入杂质是通过离子注入实现的。

3.离子注入过程中，决定杂质注入深度的主要因素是（）

A.离子能量

B.离子剂量

C.注入角度

D.靶材温度

答案：A

解析：离子能量决定了离子在靶材中的穿透能力，能量越高，注入深度越深。离子剂量主要影响注入杂质的浓度；注入角度会影响杂质的横向分布；靶材温度对注入过程有一定影响，但不是决定注入深度的主要因素。

4.以下哪种薄膜沉积技术可以实现高深宽比结构的良好台阶覆盖？（）

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.溅射沉积

D.蒸发沉积

答案：B

解析：化学气相沉积（CVD）是通过化学反应在衬底表面沉积薄膜，能够实现高深宽比结构的良好台阶覆盖。物理气相沉积（PVD）包括溅射沉积和蒸发沉积，它们在高深宽比结构的台阶覆盖能力上相对较差，容易出现空洞等问题。

5.光刻工艺中，光刻胶的曝光灵敏度主要取决于（）

A.光刻胶的厚度

B.光刻胶的化学成分

C.曝光光源的波长

D.显影液的浓度

答案：B

解析：光刻胶的化学成分决定了其对光的吸收和反应特性，从而影响曝光灵敏度。光刻胶的厚度会影响分辨率等其他性能；曝光光源的波长会影响光刻的分辨率；显影液的浓度主要影响显影效果。

6.双大马士革工艺主要用于（）

A.制作晶体管

B.制作互连金属线

C.制作绝缘层

D.制作光刻掩膜版

答案：B

解析：双大马士革工艺是一种用于制作互连金属线的工艺，它可以同时形成通孔和金属布线，减少了工艺步骤和成本。制作晶体管有专门的工艺流程；制作绝缘层有多种薄膜沉积方法；制作光刻掩膜版是光刻工艺的前期准备工作。

7.在CMOS工艺中，N阱工艺适用于（）

A.制作NMOS晶体管

B.制作PMOS晶体管

C.同时制作NMOS和PMOS晶体管

D.制作电阻器

答案：B

解析：在CMOS工艺中，N阱工艺是在P型衬底上制作N阱，然后在N阱中制作PMOS晶体管，在P型衬底上制作NMOS晶体管。所以N阱工艺适用于制作PMOS晶体管。

8.以下哪种刻蚀工艺具有较高的各向异性？（）

A.湿法刻蚀

B.等离子体刻蚀

C.化学刻蚀

D.电化学刻蚀

答案：B

解析：等离子体刻蚀是利用等离子体中的活性粒子与材料表面发生化学反应和物理轰击作用进行刻蚀，能够实现较高的各向异性，即垂直刻蚀速率远大于横向刻蚀速率。湿法刻蚀、化学刻蚀和电化学刻蚀一般具有较高的各向同性。

9.多晶硅在集成电路中主要用作（）

A.晶体管的栅极材料

B.互连金属线材料

C.绝缘材料

D.电容极板材料

答案：A

解析：多晶硅具有良好的导电性和可加工性，在集成电路中主要用作晶体管的栅极材料。互连金属线材料一般使用铝、铜等金属；绝缘材料有二氧化硅等；电容极板材料有多种选择，但多晶硅不是主要的电容极板材料。

10.以下哪种工艺可以用于减小晶体管的沟道长度？（）

A.光刻工艺的分辨率提升

B.增加离子注入剂量

C.提高薄膜沉积厚度

D.降低衬底温度

答案：A

解析：光刻工艺的分辨率提升可以实现更小的图形尺寸，从而减小晶体管的沟道长度。增加离子注入剂量主要影响杂质浓度；提高薄膜沉积厚度与沟道长度无关；降低衬底温度对晶体管性能有一定影响，但不是减小沟道长度的方法。

11.快速热退火（RTA）的主要目的是（）

A.去除光刻胶

B.激活注入的杂质

C.刻蚀硅衬底

D.沉积绝缘薄膜

答案：B

解析：快速热退火（RTA）是在短时间内对晶圆进行高温处理，主要目的是激活注入的杂质，使杂质原子进入晶格位置，恢复晶格损伤。去除光刻胶有专门的去胶工艺；刻蚀硅衬底有刻蚀工艺；沉积绝缘薄膜有薄膜沉积工艺。

12.以下哪种材料常用于制作光刻掩膜版的遮