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2025年集成电路专业题库及答案

1.简述本征半导体中载流子浓度的计算公式及其温度依赖性。

本征半导体中，电子浓度n?与空穴浓度p?相等，均等于本征载流子浓度n?，计算公式为：n?2=Nc·Nv·exp(-Eg/(kT))，其中Nc和Nv分别为导带和价带的有效态密度，Eg为禁带宽度，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度。温度依赖性表现为：当温度升高时，指数项exp(-Eg/(kT))显著增大，导致n?呈指数增长；低温时本征载流子浓度极低，半导体导电性主要由掺杂决定；高温时本征激发占主导，掺杂浓度对载流子浓度的影响减弱。

2.说明PN结空间电荷区的形成过程及内建电场的作用。

当P型和N型半导体接触时，P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，留下不能移动的电离杂质（P区为负电荷，N区为正电荷），在界面附近形成空间电荷区（耗尽层）。空间电荷区产生的内建电场方向由N区指向P区，阻碍多子扩散，同时促进少子漂移。当扩散与漂移达到动态平衡时，空间电荷区宽度稳定，内建电势差Vbi=(kT/q)ln(N?N_d/(n?2))，其中N?、N_d为P区和N区掺杂浓度，q为电子电荷量。

3.比较MOSFET的阈值电压（Vth）与开启电压的区别，并写出长沟道MOSFET阈值电压的表达式。

阈值电压（Vth）是MOSFET表面强反型时所需的栅源电压，此时沟道中反型层电荷密度等于衬底掺杂浓度对应的多子浓度。开启电压通常指器件开始导通的电压，实际应用中常将漏极电流达到特定值（如1μA）时的Vgs定义为开启电压，其与Vth存在微小差异（受漏源电压影响）。长沟道MOSFET阈值电压表达式为：Vth=Vfb+2φf+(√(2qN_subε_si(2φf)))/Cox，其中Vfb为平带电压（与栅材料功函数和衬底功函数差相关），φf为费米势（φf=(kT/q)ln(N_sub/n?)），N_sub为衬底掺杂浓度，ε_si为硅的介电常数，Cox为单位面积栅氧化层电容。

4.解释数字IC设计中“建立时间（SetupTime）”和“保持时间（HoldTime）”的定义，并说明违反这两个时序约束的后果。

建立时间是指在时钟有效边沿到来前，数据必须保持稳定的最小时间；保持时间是指在时钟有效边沿到来后，数据必须保持稳定的最小时间。若建立时间违反，数据可能在时钟边沿采样时处于亚稳态，导致寄存器输出不确定；若保持时间违反，数据可能在时钟边沿后立即变化，导致寄存器错误锁存旧数据。两者均会破坏时序逻辑的正确性，严重时导致芯片功能失效。

5.简述CMOS反相器的静态特性（电压传输特性）曲线的5个区域，并说明每个区域对应的MOS管工作状态。

CMOS反相器电压传输特性曲线分为5个区域：

（1）输入V_in≈0V：PMOS导通（饱和区），NMOS截止，输出V_out≈VDD；

（2）0V_inVth_n（NMOS阈值电压）：NMOS截止，PMOS深线性区，V_out缓慢下降；

（3）Vth_nV_inVDD-Vth_p（PMOS阈值电压绝对值）：NMOS和PMOS均进入饱和区，V_out快速下降（过渡区，增益最大）；

（4）VDD-Vth_pV_inVDD：PMOS截止，NMOS进入线性区，V_out缓慢下降；

（5）V_in≈VDD：NMOS导通（饱和区），PMOS截止，输出V_out≈0V。

6.说明集成电路制造中“光刻”工艺的核心步骤，并解释分辨率（R）与数值孔径（NA）、曝光波长（λ）的关系（瑞利判据）。

光刻核心步骤：涂胶（光刻胶旋涂）、前烘（去除溶剂）、对准曝光（掩膜版与晶圆对准后曝光）、显影（溶解曝光/未曝光的光刻胶）、后烘（增强光刻胶与晶圆附着力）。根据瑞利判据，分辨率R=k?·λ/NA，其中k?为工艺因子（0.25~0.8），NA为光刻机镜头的数值孔径（NA=n·sinθ，n为介质折射率，θ为入射光半角）。分辨率越小，可印刷的最小线宽越小，因此提高NA（如浸没式光刻使用水作为介质，n≈1.44）或缩短λ（如从i-line（365nm）到EUV（13.5nm））可提升分辨率。

7.简述双极型晶体管（BJT）的电流放大原理，并比较NPN型与PNP型BJT的异同。

BJT的电流放大基于发射结正向偏置、集电结反向偏置的工作状态。发射区向基区注入多子（NPN型为电子，PNP型为空穴），其中大部分越过薄基区扩散到集电结，被反向偏置的集电结收集形成集电极电流Ic，少部分在基区复合形成基极电流Ib。电流放大系数β=Ic/Ib（共发射极配置）。NPN与PNP的区别：载流子类型相反（NPN为电子主导，PNP为空穴主导），工作时各极电压极性相反（NPN的V