第五章集成逻辑门电路.pptVIP

解：OC门输出端需外接上拉电阻RC5.1kΩY=1Y=0RIRON，相应输入端为高电平。510ΩRIROFF，相应输入端为低电平。第61页，共92页，星期日，2025年，2月5日是由增强型PMOS管和增强型NMOS管组成的互补对称MOS门电路。比之TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。主要要求：掌握CMOS反相器的电路、工作原理和主要外特性。了解CMOS数字集成电路的应用要点。了解CMOS与非门、或非门、开路门、三态门和传输门的电路和逻辑功能。5.4CMOS集成逻辑门电路第62页，共92页，星期日，2025年，2月5日SGDBCESGDCBENMOS增强型类比为NPN三极管PMOS增强型类比为PNP三极管NMOS增强型，当uGSUth，管子导通。当uGSUth，管子截止。PMOS增强型，当uGS-Uth，管子导通。当uGS-Uth管子截止(Uth是管子的开启电压)第63页，共92页，星期日，2025年，2月5日AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBAuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB增强型NMOS管(驱动管)增强型PMOS管(负载管)构成互补对称结构5.4.1CMOS反相器(一)电路基本结构要求VDDUGS(th)N+｜UGS(th)P｜且UGS(th)N=｜UGS(th)P｜UGS(th)N增强型NMOS管开启电压AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBNMOS管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的PN结始终反偏。.uGSN+-增强型PMOS管开启电压uGSP+-UGS(th)PuGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管导通uGSNUGS(th)N时，增强型NMOS管截止OiDuGSUGS(th)N增强型NMOS管转移特性时,增强型PMOS管导通时,增强型PMOS管截止OiDuGSUGS(th)P增强型PMOS管转移特性AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB(一)电路基本结构UIL=0V，UIH=VDD第64页，共92页，星期日，2025年，2月5日AuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底B(二)工作原理ROFFNRONPuO+VDDSDDS导通电阻RON截止电阻ROFFRONNROFFPuO+VDDSDDS可见该电路构成CMOS非门，又称CMOS反相器。无论输入高低，VN、VP中总有一管截止，使静态漏极电流iD?0。因此CMOS反相器静态功耗极微小。◎输入为低电平，UIL=0V时，uGSN=0VUGS(th)N，UIL=0V截止uGSN+-VN截止，VP导通，导通uGSP+-uO?VDD为高电平。AuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底B截止uGSP+-导通uGSN+-◎输入为高电平UIH=VDD时，uGSN=VDDUGS(th)N,VN导通，VP截止，◎输入为低电平UIL=0V时，uGSN=0VUGS(th)N，VN截止，VP导通，uO?VDD,为高电平。UIH=VDDuO?0V，为低电平。第65页，共92页，星期日，2025年，2月5日ABCV1V2V3V4V5V6VD1VD2VD3R1R2R4R5RBRCB1C1C2E2YVCC+5V输入