脉冲波形的产生和整形课件.pptVIP

(1-2)動態：（續）(a)分析T1和T2的工作狀態：T1進入放大區T2退出飽和區三極管輸入特性曲線三極管輸出特性曲線對於T1，iC1=βiB10.50.7飽和區0.30.1負載對於T2，從深度飽和到臨界飽和∴儘管iC1相對增加量很大，但絕對增加量與的iC2減小量相比很小。0.8*(1-2)動態：（續）(b)與T1相比，T2是第二級放大器，所以可以將兩種穩態相互對比：即使不考慮iB2，由於R3R2，也會使vE(1)vE(2)，所以：(1)?(2)時，vE↓VCCVCCvE(1)vE(2)*(2-1)穩態：T1飽和，T2截止，(2-2)動態：當v’I下降到使vBE1電平低於0.7V的時候H電路迅速進入T1截止，T2飽和導通§10.2施密特觸發器*(3)閾值電壓施密特觸發特性：VT+VT-(i)T1截止，T2飽和(ii)T1飽和，T2截止由vE(1)vE(2)可以推導出：VT+VT-因為，觸發時T1處於放大區LHVT+VT-§10.2施密特觸發器定量求解閾值?*輸入輸出整個電路vI為vI’減去輸入端二極體壓降電平偏移考慮v’O的“高”、“低”電平低電平v’O=vE(T2飽和)+vCE2(sat)=1.9V射隨電平偏移，兩個PN結；傳輸特性，?*§10.2施密特觸發器小結：施密特觸發器的性能特點1.輸入信號從低電平上升到高電平從高電平下降到低電平2.電路狀態轉換時，電路內部的正回饋過程使輸出電壓波形的邊沿陡直。施密特觸發器的應用從施密特觸發器的性能特點入手，可以發現…輸出轉換，觸發閾值不同回差電壓抗干擾轉換波形邊沿陡直在應用中相輔相承*§10.2施密特觸發器施密特觸發器的應用波形變換回差電壓越大，抗干擾能力越強，但…波形的對稱性越差，設計上要權衡考慮。所謂“對稱性”——本例中，對應於正弦信號的峰值。思考：是否可以採用普通的門電路作波形變換？*§10.2施密特觸發器施密特觸發器的應用（續）脈衝整形*§10.2施密特觸發器施密特觸發器的應用（續）脈衝鑒幅*§10.2施密特觸發器施密特觸發器的應用（續）附加RC外電路構造單穩態觸發器利用滯回特性構成多諧振蕩器……*歸納：分析步驟脈衝電路的分析步驟：定性分析：（1）狀態判斷，電路等效“靜態”，“穩態”（2）狀態轉換分析（“動態”）觸發轉換（施密特，單穩），自發轉換（單穩，多諧）定量計算(施密特)：（3）觸發轉換時的閾值定量計算(對於單穩、多諧)（3）自發轉換時充放電線路的參數：始始態、終了態，充電常數*§10.3單穩態觸發器Mono-stableMulti-vibrator又稱：one-shot單穩態觸發器的工作特性：第一、一個穩態，一個暫穩態；第二、在外界脈衝的作用下，能從穩態翻轉到暫穩態，在暫穩態維持一段時間後，再自動返回穩態；（觸發轉換、自發轉換、內部電路狀態恢復）第三、暫穩態維持時間的長短取決於電路本身的參數，與觸發脈衝的寬度tp和幅度無關。*§10.3單穩態觸發器提綱：門電路組成的單穩態觸發器微分型單穩積分型單穩集成單穩態觸發器單穩態觸發器的應用*用施密特觸發器構成單穩態觸發器*§10.3單穩態觸發器門電路組成的單穩態觸發器CMOS門電路微分型單穩態觸發器電路設計參數：RdCdtp，RC與tp時間寬度可以比擬LHHL或非門G1，輸入全為L(1)靜態（狀態判斷、電路等效）判斷出穩態：vd=0,vI2=VDD,vO=0,vO1=VDD暫穩態（思考，如果判斷不出可參閱後續步驟。）*§10.3單穩態觸發器(2)狀態轉換：電容兩端間的電壓不會突變vdvIvI2vO+-LLH自鎖+-VTHvI2超過閾值vOLvO1H注意：CMOS輸入端有保護電路…*§10.3單穩態觸發器(3)定量計算——針對充放電定時電路解RC電路的微分方程，可得動態方程v(t)為狀態變數*§10.3單穩態觸發器(3)定量計算（續）充電回路參數充電常數τ=RC起始值v(0)=0終了值v(∞)=VDD代入計算：tW=RCl