半导体器件物理之物理电流电压特性.pptVIP

半导体器件物理之物理电流电压特性第1页，共35页，星期日，2025年，2月5日正向和反向偏置下的能带图、电势分布和载流子浓度分布*第2页，共35页，星期日，2025年，2月5日热平衡时,波耳兹曼关系:本征能级电势费米能级电势热平衡时*第3页，共35页，星期日，2025年，2月5日外加电压,结两侧的少数载流子密度变化,电子和空穴的准费米能级正向偏置反向偏置*第4页，共35页，星期日，2025年，2月5日根据电流密度方程:同理:电子和空穴的电流密度正比于各自的准费米能级梯度热平衡状态:*第5页，共35页，星期日，2025年，2月5日正向和反向偏置下的能带图、电势分布。*第6页，共35页，星期日，2025年，2月5日结上的静电势差：P型一侧耗尽区边界x=-xp的电子浓度:n型一侧耗尽区边界x=xn的空穴浓度:理想电流电压方程最重要的边界条件。PN结边界处的非平衡少数载流子浓度:正向偏压时,边界的少数载流子浓度比平衡时要大,反向偏压时要小.*第7页，共35页，星期日，2025年，2月5日正向和反向偏置下的能带图和载流子浓度分布*第8页，共35页，星期日，2025年，2月5日根据连续性方程，静态时,对N区:净复合率利用电中性（nn-nn0)~(pn-pn0)，结合爱因斯坦关系：乘以?ppn乘以?nnn+*第9页，共35页，星期日，2025年，2月5日其中：小注入假设：n型区比较*第10页，共35页，星期日，2025年，2月5日无电场的中性区,进一步简化：x=xn:边界条件:x=-xp:同理*第11页，共35页，星期日，2025年，2月5日正向偏置状态:载流子分布和电流密度分布*第12页，共35页，星期日，2025年，2月5日反向偏置状态:载流子分布和电流密度分布*第13页，共35页，星期日，2025年，2月5日总电流：肖克莱方程，理想二极管定律理想的电流-电压特性(a)线性坐标，(b)半对数坐标*第14页，共35页，星期日，2025年，2月5日温度对饱和电流密度的影响:p+-n单边突变结:施主浓度ND,都与温度有关与指数项相比,前面一项与温度的关系并不重要.反向,|JR|~JS,电流按照关系随温度增加;正向,电流大致按变化.*第15页，共35页，星期日，2025年，2月5日3。电流-电压特性?产生-复合过程表面效应—表面离子电荷耗尽层内载流子的产生和复合大注入串联电阻效应大的反向电场，结的击穿偏离理想情形反向偏置下耗尽区主要的复合-产生过程?载流子发射过程产生与复合过程对电流-电压特性的影响:正向偏置下耗尽区主要的复合-产生过程?载流子俘获过程产生-复合速率*第16页，共35页，星期日，2025年，2月5日电子-空穴对的产生率：有效寿命pnninnni反向偏置下载流子发射耗尽区内的产生电流：耗尽层宽度只有能级Et靠近本征费米能级的产生中心,对产生率有显著贡献*第17页，共35页，星期日，2025年，2月5日突变结：若有效寿命随温度缓变,则产生电流与ni有同样的温度关系，线性缓变结：总的反向电流=中性区的扩散电流+耗尽区的产生电流：室温下：若ni很大（例如Ge)，扩散电流为主反向电流符合理想情况若ni很小（例如Si)，产生电流占优势高温下：扩散电流为主在给定温度下,产生电流正比于耗尽层宽度,耗尽层宽度又与外加反向偏压有关：*第18页，共35页，星期日，2025年，2月5日实际Si二极管的电流-电压特性产生-复合电流区扩散电流区大注入区串联电阻效应产生-复合与表面效应等引起的反向漏电流*第19页，共35页，星期日，2025年，2月5日正向偏置下：俘获过程扩散电流+复合电流J