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第六章半导体存储器第六章半导体存储器第1页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器六.半导体存储器存储器概述1常用的存储器芯片2存储器的扩展3串行EEPROM存储器及其应用4第2页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.1存储器概述存储器是存放二进制编码信息的硬件装置存储器的类型按工作时与CPU联系密切程度分类主存和辅存，或者称作内存和外存。主存直接和CPU交换信息，容量小，速度快。辅存则存放暂时不执行的程序和数据，只在需要时与主存进行批量数据交换，通常容量大，但存取速度慢；按存储元件材料分类半导体存储器、磁存储器及光存储器；按存储器读写工作方式分类随机存储器(RAM,RandomAccessMemory)和只读存储器(ROM,ReadOnlyMemory)。随即存储器中任何存储单元都能随时读写；只读存储器中存储的内容是固定不变的，联机工作时只能读出不能写入。第3页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.1存储器概述2.存储器的性能指标存储器的主要性能指标：存储容量、存取速度、可靠性、性能价格比。存储容量用其存储的二进制位信息量描述，用其存储单元数与存储单元字长乘积表示，即容量=字数×字长。存取速度是指从CPU给出有效地存储器地址到存储器输入或输出有效数据所需要的时间。第4页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.1存储器概述3.存储器的分级结构对存储器的要求是容量大、速度快、可靠性高、成本低，但对一个存储器要求上述几项性能均佳是难以办到的，而有些指标要求本身就是互相矛盾的。为解决这一矛盾，目前在计算机系统中，采用了分级结构。目前采用的较多的是3级存储器结构，即高速缓冲存储器(Cache)、内存储器和辅助存储器。中央处理器CPU能直接访问的存储器有高速缓存和内存，不能直接访问辅助存储器。第5页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.1存储器概述3.存储器的分级结构获取速度，使存取速度能和中央处理器的速度匹配。介于两者之间，要求其具有适当的容量，能容纳较多的核心软件和用户程序，还有满足系统对速度的要求。追求大容量，以满足对计算机的容量要求。第6页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.2常用的存储器芯片1.半导体存储器芯片的结构半导体存储器芯片由存储矩阵、地址译码器、控制逻辑和三态数据缓冲寄存器组成，是大量存储元件的有机结合。存储元件则是由能存储一位二进制代码的物理器件构成。将存储矩阵中的全部存储单元赋予单元地址，由芯片内部的地址译码器实现按地址选择对应的存储单元。在CPU及其接口电路送来的芯片选择信号CS和读写控制信号R/W的配合下，单方面打开三态缓冲器，将该存储单元中的代码进行读或写操作。在不进行读或写操作时，芯片选择信号无效，控制逻辑使三态缓冲器处于高阻组装，存储矩阵与数据线脱开。第7页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.2常用的存储器芯片1.半导体存储器芯片的结构容量为2n个存储单元的存储矩阵，必须有n条地址线选通对应的存储单元，若每个存储单元有N位(字长为N)，则有N条数据线，该存储体由2n×N个存储元件组成。第8页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.2常用的存储器芯片2.随机读写存储器RAMRAM简称随机存储器。可分为双极性和MOS型。双极性RAM主要用在高速微型计算中，MOS型RAM则广泛用于微型计算机中。MOS型RAM分为静态RAM(StaticRAM)和动态RAM（DynamicRAM）。动态RAM的存储元件由单只或三只MOS管组成，依靠MOS管栅极电容的电荷记忆信息。“刷新”：为了不丢失信息，在电容放电丢失电荷之前，把数据读出来再写进去，再次给电容充电，维持所记忆的信息。动态RAM集成度高，功耗低，但须增加刷新电路，适于构成大容量的存储器系统。静态RAM的存储元件是6管MOS型触发器，每个存储元件中包括很多MOS管，存储容量有限。与动态RAM相比，静态RAM功耗也比较大，但不需要刷新电路，适用于存储容量较小的系统中。第9页，共37页，星期日，2025年，2月5日第六章半导体存储器6.2常用的存储器芯片2.随机读写存储器RAM常用的静态RAM芯片有：6116，6264，62128，6