第1章电磁场的基本定律.pptVIP

第1页，共33页，星期日，2025年，2月5日1.库仑定律库仑定律是静电现象的基本实验定律。大量试验表明：真空中两个静止的点电荷与之间的相互作用力:第一节电场、磁场的基本定律一.电场的基本定律2.电场强度第2页，共33页，星期日，2025年，2月5日a)点电荷产生的电场强度b)n个点电荷产生的电场强度(注意:矢量叠加)c)连续分布电荷产生的电场强度面电荷分布线电荷分布体电荷分布第3页，共33页，星期日，2025年，2月5日3.电位移（各向同性电介质）4.静电场的高斯定理电场强度通量电位移通量5.静电场的安培环路定理静电场是无旋场静电场是有源场第4页，共33页，星期日，2025年，2月5日二.磁场的基本定律1.磁感应强度2.B-S定律3.磁感应强度与磁场强度（各向同性磁介质）4.磁感应强度的高斯定理磁场是无源场第5页，共33页，星期日，2025年，2月5日5.磁场的安培环路定理磁感应强度的环流磁场强度的环流（为电流面密度）电流密度的定义补充的方向：该点电流的方向.的大小：通过该点附近垂直于电流方向的单位面积的电流强度.磁场有旋场第6页，共33页，星期日，2025年，2月5日6.电磁感应定律对应静止媒质，静止回路：静电场感生电场第7页，共33页，星期日，2025年，2月5日第二节麦克斯韦方程组（电磁场方程）电磁场实验定律总结：静电场高斯定理磁场高斯定理磁场安培环路定理法拉第电磁感应定律第8页，共33页，星期日，2025年，2月5日（以L为边做任意曲面S）稳恒磁场中,安培环路定理++++----Ic一.麦克斯韦方程组的积分形式1.全电流第9页，共33页，星期日，2025年，2月5日++++----I麦克斯韦假设电场中某一点位移电流密度等于该点电位移矢量对时间的变化率.位移电流密度第10页，共33页，星期日，2025年，2月5日位移电流通过电场中某一截面的位移电流等于通过该截面电位移通量对时间的变化率.++++----位移电流密度传导电流运流电流：电导率：电荷密度：电荷平均速度第11页，共33页，星期日，2025年，2月5日1）全电流是连续的；2）位移电流和传导电流一样激发磁场；3）传导电流产生焦耳热，位移电流不产生焦耳热.++++----全电流第12页，共33页，星期日，2025年，2月5日1）有旋电场2）位移电流麦克斯韦假设方程的积分形式麦克斯韦电磁场2.麦克斯韦电磁场方程的积分形式第13页，共33页，星期日，2025年，2月5日二.麦克斯韦方程组的微分形式利用散度的高斯公式旋度的斯托克斯公式第14页，共33页，星期日，2025年，2月5日方程的微分形式麦克斯韦电磁场其中：散度的高斯公式第15页，共33页，星期日，2025年，2月5日2.方程间的联系（1）（2）（3）（4）例如由（1）?（3）：（电荷守恒定律的微分形式，稍后证明）（3）第16页，共33页，星期日，2025年，2月5日（2）（4）例如由（2）?（4）：（4）三.电荷守恒定律由高斯公式：（微分形式）（积分形式）（对恒定电流：）第17页，共33页，星期日，2025年，2月5日第三节电磁场边界条件一.电场强度的边界条件1324足够小第18页，共33页，星期日，2025年，2月5日分界面两侧电场强度的切向分量连续1324各向同性介质中：另一种表示方法：（为分界面的法线方向，通常由介质2指向介质1）第19页，共33页，星期日，2025年，2月5日以分界面上点P作为观察点，作一小扁圆柱高斯面.二.电位移的边界条件（为分界面上的自由电荷面密度）?h?SD2D1?1?2en第20页，共33页，星期日，2025年，2月5日分界面上通常不会有自由电荷，此时：即：另一种表示方法：各向同性介质中：?h?SD2D1?1?2en第21页，共33页，星期日，2025年，2月5日三.磁场强度的边界条件在媒质分界面上，包围P点作一矩形回路足够小13