第2章变频器常用电力电子器件.pptVIP

《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.5.3P-MOSFET的特性１.转移特性２．输出特性第29页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章３.开关特性３.开关特性第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.5.4P-MOSFET的主要参数1.漏源击穿电压BUDS2.漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM3.栅源击穿电压BUGS4.开启电压UT5.极间电容6.通态电阻Ron第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.5.5Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的可靠触发导通。2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的开关速度。3）Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.5.6P-ＭＯＳＦＥＴ的保护1.工作保护栅源过电压的保护漏源过电压的保护过电流保护2.静电保护器件应存放在抗静电包装袋、金属容器或导电材料包装袋中，工作人员取用器件时，必须使用腕带良好接地，且应拿器件管壳，不要拿引线；安装时，工作台和电烙铁应良好接地；测试时，测量仪器和工作台要良好接地，器件的三个电极必须都接入测试仪器或电路，才能施加电压。改换测试时，电压和电流要先恢复到零。?第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日第2章变频器常用电力电子器件《变频器原理与应用（第2版）》第2章第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.伏安特性功率二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性，其伏安特性曲线如图所示。正向特性：当从零逐渐增大正向电压时，开始阳极电流很小，当正向电压大于0.5V时，正向阳极电流急剧上升，管子正向导通。反向特性：当二极管加上反向电压时，起始段的反向漏电流也很小，而且随着反向电压增加，反向漏电流只略有增大，但当反向电压增加到反向不重复峰值电压值时，反向漏电流开始急剧增加。第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.1.2主要参数

1.额定正向平均电流IF在规定的环境温度和标准散热条件下，元件所允许长时间连续流过50Hz正弦半波的电流平均值。2.反向重复峰值电压URRM在额定结温条件下，取元件反向伏安特性不重复峰值电压值URSM的80%称为反向重复峰值电压URRM。3.正向平均电压UF在规定环境温度和标准散热条件下，元件通过50Hz正弦半波额定正向平均电流时，元件阳极和阴极之间的电压的平均值第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.1.3功率二极管的选用1.选择额定正向平均电流IF的原则IDn=1.57IF=(1.5～2)IDM2.选择额定电压URRM的原则URRM=（2～3）UDM第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.1.4功率二极管的分类功率二极管一般分为三类：(1)标准或慢速恢复二极管；(2)快速恢复二极管；(3)自特基二极管。第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日《变频器原理与应用（第2版）》第2章2.2晶闸管（SCR）

2.2.1晶闸管的结构晶闸管是四层（P1N1P2N2）三端（A、K、G）器件，其内部结构和等效电路如图所示。a)b)c)