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2025年教师职称-甘肃-甘肃教师职称（基础知识、综合素质、高中物理）历年参考题典型考点含答案解析

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案（共50题）

1、关于牛顿第三定律的作用力与反作用力，下列说法正确的是（）

A.作用力与反作用力相等，方向相反，作用在同一物体上

B.作用力与反作用力大小相等，方向相反，作用在不同物体上

C.作用力与反作用力大小相等，方向相同，作用在不同物体上

D.作用力与反作用力大小相等，方向相反，可能作用在同一物体上

【参考答案】B

【解析】牛顿第三定律指出作用力与反作用力大小相等、方向相反，作用在相互作用的两个物体上。选项A错误因为作用力与反作用力不会作用在同一物体，选项C方向错误，选项D可能错误。

2、下列现象中，属于光的折射现象的是（）

A.平面镜成像

B.筷子在水中看起来弯曲

C.太阳光直射地球

D.激光在空气中的传播

【参考答案】B

【解析】光的折射指光从一种介质射入另一种介质时方向改变的现象。B选项筷子弯曲是光由水射入空气时的折射；A为平面镜反射，C为传播，D为光在同种介质中直线传播。

3、在竖直平面内做匀速圆周运动的物体，其向心力方向始终（）

A.指向圆心

B.垂直于速度方向

C.与重力方向一致

D.与向心加速度方向相反

【参考答案】A

【解析】向心力方向始终指向圆心，与速度方向垂直。选项B描述的是切线方向，C错误因重力方向与运动平面垂直，D方向相反错误。

4、理想气体状态方程PV=nRT中，当温度T不变时，压强P与体积V的关系是（）

A.正比例关系

B.反比例关系

C.一次函数关系

D.二次函数关系

【参考答案】B

【解析】温度不变时，PV=nRT为常数，P与V成反比例，符合波义耳定律。其他选项均不符合理想气体等温变化规律。

5、下列实验中，能验证光的波粒二象性的是（）

A.杨氏双缝干涉实验

B.凸透镜成像实验

C.光电效应实验

D.磁偏转实验

【参考答案】A

【解析】杨氏双缝干涉实验显示光的波动性，光电效应（C）和磁偏转（D）分别体现粒子性和电磁性质。凸透镜成像（B）属于几何光学范畴。

6、在平抛运动中，物体的水平位移与时间的关系是（）

A.正比例关系

B.二次函数关系

C.反比例关系

D.指数函数关系

【参考答案】A

【解析】平抛运动水平位移公式x=v?t，水平初速度v?恒定时，x与t成正比。竖直方向位移为二次函数，但题目明确问水平位移。

7、下列关于电磁感应现象的说法正确的是（）

A.导体切割磁感线时产生感应电流

B.磁铁插入线圈时产生感应电流

C.线圈绕制匝数越多，感应电动势越小

D.感应电流方向由右手定则判断

【参考答案】A

【解析】A符合法拉第电磁感应定律，B错误因磁铁匀速时无感应电流。C错误匝数多电动势更大，D方向判断应使用楞次定律或右手定则（但选项表述不准确）。

8、在下列电路，能改变电源电压的是（）

A.滑动变阻器串联在电路中

B.滑动变阻器并联在电路中

C.电容器串联在电路中

D.电感器串联在电路中

【参考答案】A

【解析】滑动变阻器串联可改变电路总电阻，从而改变电压分配。并联（B）仅改变支路，电容器（C）和电感器（D）在直流电路中相当于断路或短路。

9、下列物质中，熔点最高的是（）

A.铁

B.水

C.酒精

D.硫

【参考答案】A

【解析】铁的熔点为1538℃，远高于水（0℃）、酒精（78℃）和硫（115℃）。硫的熔点虽高于水但低于金属铁。

10、在下列实验操作中，正确的是（）

A.用酒精灯直接加热玻璃容器

B.用烧杯直接盛放浓硫酸

C.向试管中滴加浓盐酸时需沿试管壁倒入

D.正确使用托盘天平前需调节平衡

【参考答案】D

【解析】A易导致玻璃容器破裂，B浓硫酸需在耐酸容器中盛放，C应平口烧杯沿内壁缓慢加入，D为天平使用前提条件。

11、以下哪种现象属于光的？A.平面镜成像B.筷子在水中的弯曲C.日食形成D.电流表指针偏转

A.平面镜成像

B.筷子在水中的弯曲

C.日食形成

D.电流表指针偏转

【参考答案】D

【解析】光的折射指光线从一种介质斜射入另一种介质时方向改变的现象。B选项筷子弯曲是光的折射实例，D选项电流表指针偏转由电流驱动磁针偏转，与光的折射无关。A选项为光的反射C选项日食是月食的地球投影现象，均不选。

12、公式E_k=?mv2中，m表示什么物理量？A.质量B.重力C.速度D.动量

A.质量

B.重力

C.速度

D.动量

【参考答案】A

【解析动能公式中m为物体质量，单位kg；v为速度，单位m/s。B选项重力G=mg，C选项速度v是矢量，D选项动量p=mv，均与动能公式中的m无关。公式中?mv为焦耳（J），符合能量量纲。

13、串联电路中电流处处相等的依据是？A.电源电压恒定B.导体截面积相同C.电阻定律R=ρL/SD.姆定律I=U