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武汉科技大学2025年硕士研究生入学材料学基础考试试题A卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在面心立方（fcc）晶体中，滑移最易发生的密排面与密排方向组合为

A.{110}〈111〉?B.{111}〈110〉?C.{100}〈110〉?D.{112}〈111〉

2.下列关于位错应力场的描述，正确的是

A.刃位错应力场只有正应力分量?B.螺位错应力场只有切应力分量

C.刃位错应力场对称于位错线?D.螺位错应力场对称于滑移面

3.对共析钢进行等温转变，550℃保温10s后水冷，最终组织为

A.马氏体+残余奥氏体?B.上贝氏体+马氏体

C.下贝氏体+马氏体?D.珠光体+马氏体

4.下列哪种陶瓷材料具有萤石结构

A.Al?O??B.ZrO??C.MgO?D.Si?N?

5.高分子链的柔顺性通常用下列哪个参数表征

A.玻璃化转变温度Tg?B.熔融指数MI?C.特性黏数[η]?D.均方末端距〈r2〉

6.在Fe-C相图中，碳在γ-Fe中的最大溶解度为

A.0.0218wt%?B.0.77wt%?C.2.11wt%?D.4.3wt%

7.下列哪种强化机制对高温蠕变抗力贡献最大

A.固溶强化?B.细晶强化?C.弥散强化?D.加工硬化

8.对n型半导体，若费米能级Ef靠近导带底，则载流子浓度主要受控于

A.本征激发?B.受主杂质?C.施主杂质?D.陷阱能级

9.在聚合物结晶过程中，形成“球晶”的基本单元是

A.单晶片?B.串晶?C.纤维晶?D.伸直链晶

10.下列哪种无损检测方法对层状缺陷最敏感

A.超声纵波法?B.涡流法?C.射线照相法?D.磁粉法

二、判断题（每题1分，共10分，正确打“√”，错误打“×”）

11.金属的堆垛层错能越低，越容易出现交叉滑移。

12.共格界面的界面能通常高于非共格界面。

13.在离子晶体中，肖特基缺陷的形成能低于弗伦克尔缺陷。

14.聚合物熔体的非牛顿指数n1时，表现为剪切变稀。

15.石英玻璃的结构短程有序、长程无序。

16.对于BCC金属，{110}面是原子最密排面。

17.马氏体相变属于扩散型相变。

18.在二元共晶反应中，液相同时结晶出两个固相。

19.陶瓷材料的断裂韧性KIC通常随晶粒尺寸减小而增大。

20.金属玻璃在玻璃化转变温度附近会出现明显的比热容突变。

三、填空题（每空2分，共20分）

21.面心立方晶胞的致密度为________，配位数为________。

22.根据Hall-Petch关系，屈服强度σs与晶粒尺寸d的关系式为________。

23.在聚合物黏弹性模型中，Maxwell模型由________元件与________元件串联而成。

24.离子半径比r?/r?=0.225~0.414时，配位多面体为________；r?/r?0.732时，配位多面体为________。

25.对半导体硅掺入磷原子，其杂质能级位于禁带________侧，属于________型杂质。

26.在Fe-C合金中，共析点成分为________wt%C，共析温度为________℃。

27.陶瓷烧结后期，晶粒长大的驱动力主要来自________能的降低。

28.金属蠕变三阶段分别为________、稳态蠕变和________。

29.表征高分子链段运动活化能的物理量为________温度，其数值越高，链段运动越________。

30.在铝基复合材料中，常用________（填陶瓷相）作为增强体，其弹性模量约为________GPa。

四、名词解释（每题4分，共20分）

31.层错能

32.非化学计量化合物

33.玻璃化转变

34.伪弹性

35.拓扑密堆相

五、简答题（每题8分，共40分）

36.简述位错增殖的F-R源机制，并说明其临界剪切应力表达式。

37.对比金属、陶瓷、聚合物三种材料的导热机制，并解释为何陶瓷高温隔热性能优异。

38.试从晶体学角度说明马氏体相变的“不变平面应变”特征，并给出惯习面的定义。

39.聚合物结晶度常用密度法测定，推导其基本公式并指出误差来源。

40.说明“细晶强化”与“弥散强化”在强化机理、高温稳定性方面的异同。

六、计算与作图题（共40分）

41.（10分）铜单晶沿[001]方向拉伸，滑移系为{111}〈110〉，求施加应力σ=50MPa时，作用在(111