第10章半导体电化学与光电化学基础.ppt

第29页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.8半导体/溶液界面的电位分布半导体溶液x第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.半导体/溶液界面电容第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.9P型半导体/溶液界面的费米能级钉扎xx3.费米能级的“钉扎”第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日4.表面态的来源与类型⑴本征表面态⑵非本征表面态第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日10.3半导体/溶液界面上的电荷传递10.3.1平衡电位下的电荷传递1.半导体/溶液界非平衡条件下面两种载流子对平衡电流的贡献第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.10平衡电位下N型半导体/溶液界面的电子跃迁（a）能带结构（b）正逆反应的电流密度第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.交换电流密度j0第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.平衡电位下的电荷传递特点第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日电化学原理第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.1价带、导带和禁带能带价带导带禁带能带⑴半导体中的能带结构第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.2价带中的电子被激发到导带第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日⑵半导体中的载流子②空穴①电子第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日2、本征半导体、施主能级、受主能级、N型和P型半导体不含任何杂质，没有缺陷的半导体称为本征半导体能够向半导体导带中提供电子的杂质原子称为施主能级能够接受或捕获半导体价带中电子的杂质原子称为受主能级第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.3施主能级和受主能级（a）施主与N型半导体的能带（b）受主与P型半导体的能带++++第6页，共54页，星期日，2025年，2月5日10.1.2半导体中的状态密度与载流子的分布半导体中起主要作用的是靠近EC的电子和靠近EV的空穴。通常，导带底和价带顶的状态密度函数Z(E)随电子能量E关系为：第7页，共54页，星期日，2025年，2月5日半导体在热平衡状态下，电子按Fermi-Direc分布规律分布在不同量子态上，即某一量子态被电子或空穴占据的几率分别为：第8页，共54页，星期日，2025年，2月5日导带中电子浓度为：导带中的有效状态密度第9页，共54页，星期日，2025年，2月5日半导体载流子的浓度积为：价带中空穴浓度为：价带中的有效状态密度第10页，共54页，星期日，2025年，2月5日1、本征半导体的费米能级与载流子浓度本征半导体的电子浓度与空穴浓度相等，即满足本征半导体的费米能级（a）本征半导体能带结构第11页，共54页，星期日，2025年，2月5日本征半导体的载流子浓度第12页，共54页，星期日，2025年，2月5日2、掺杂半导体的费米能级与载流子浓度载流子浓度⑴N型半导体（b）N型半导体能带结构施主浓度掺杂后半导体的费米能级空穴浓度第13页，共54页，星期日，2025年，2月5日⑵P型半导体（c）P型半导体能带结构载流子浓度少子（电子）浓度掺杂后半导体的费米能级第14页，共54页，星期日，2025年，2月5日10.2半导体/溶液界面的结构与性质10.2.1半导体/溶液界面的结构与性质1、半导体/溶液界面接触时的能带结构动态平衡第15页，共54页，星期日，2025年，2月5日图10.5N型半导体与溶液接触前后能带的变化E电子能量N型半导体溶液(a)溶液接触前E电子能量N型半导体溶液(b)溶液接触后第16页，共54页，星期日，2025年，2月5日N型半导体能带从本体到表面向上弯曲。同理，P型半导体能带一般从本体到表面向下弯曲。第17页，共54页，星期日，2025年，2月5日2、半导体中的空间电荷层、电位分布与能带弯曲（a）空间电荷层N型半导体溶液0x-++++++++++++++++++------------------OHP界面空间电荷层⑴空间电荷层第18页，共54页，星期日，2025年，2月5日⑵电位分布与能带弯曲的方向和程度①电位分布与能带弯曲的方向取决于初始的相对位置。由于标度不同，电位标的正方向与电子能级标的正方向恰恰相反。②实际上