第2章半导体二极管 (3).pptVIP

2.3半导体二极管第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日mAVEIR伏安特性实验电路2.3.2伏安特性第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.3.2伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。UI死区电压阳阴+–阳阴–+反向电流在一定电压范围内保持常数。第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.3.3主要参数1.最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压VBR3.反向电流IR二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。

最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：

VRM≈VBR/2，在室温及规定的反向电压下的反向电流值。

硅管：(nA)级；

锗管：(?A)级。第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日第二章半导体二极管及其基本电路§2.1半导体的基本知识§2.2PN结的形成及特性§2.4二极管的基本电路及其分析方法§2.5特殊二极管§2.3二极管第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.4二极管的基本电路及其分析方法2.4.1半导体二极管等效模型：1理想模型：理想二极管(vD＞0)二极管导通VF=0r=0开关闭合(vD0)二极管截止iD=0r=∞开关断开第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日2恒压降模型：(vD＞VF)二极管导通vD=VFr=0开关闭合(vDVF)二极管截止iD=0r=∞开关断开第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.4.2二极管电路分析定性分析：判断二极管的工作状态导通截止分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位。若V阳V阴，二极管导通若V阳V阴，二极管截止若V阳V阴+VF，二极管导通若V阳V阴+VF，二极管截止理想模型：恒压模型：第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳V阴二极管导通例1：取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k?BAUAB+–（1）理想模型：UAB=－6V（2）恒压降模型：UAB=－6.3Ｖ或－6.7V※+-第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日第二章半导体二极管及其基本电路§2.1半导体的基本知识§2.2PN结的形成及特性§2.4二极管的基本电路及其分析方法§2.5特殊二极管§2.3二极管第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日第二章半导体二极管及其本电路对你的期望：3、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用；4、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法；1、了解PN结的形成；2、掌握以下基本概念：空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏；5、掌握稳压管工作原理及使用；第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日第二章半导体二极管及其基本电路§2.1半导体的基本知识§2.2PN结的形成及特性§2.4二极管的基本电路及其分析方法§2.5特殊二极管§2.3二极管第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.1半导体的基本知识2.1.1半导体2.1.2本征半导体2.1.3掺杂半导体2.1.4杂质半导体示意图第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.1.1半导体物质的导电性能决定于原子结构，最外层电子数目越少，导电性能越强导体：一般是低价元素，如铜、铁、铝绝缘体:一般为高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如塑料或橡胶）