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微处理器第五章存储器

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练习:分析图中74LS138各输出端的译码 地址范围。

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第五章习题

作业：10~17

思考：1~9

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自动化工程学院

测试技术及仪器研究所

肖寅东

TELE：028自动化工程学院

测试技术及仪器研究所

肖寅东

TELE：028第五章结束

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不同的存储原理

静态SRAM

动态DRAM

存取速度快，但集成度低，一般用于大型计算机或高速微机的Cache；

速度较快，集成度较低，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合（Cache）

集成度较高但存取速度较低，一般用于需较大容量的场合（主存）。

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不同的读写策略

数据访问方式

并行存储器(ParallelMemory)

串行存储器(SerialMemory)

数据存取顺序

随机存取（直接存取）

可按地址随机访问；

访问时间与地址无关；

顺序存取(先进先出)

FIFO、队列(queue)

堆栈存储

先进后出(FILO)/后进先出(LIFO)；

向下生成和向上生成；

实栈顶SS、堆栈指针SP；

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堆栈的生成方式

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静态RAM的六管基本存储单元

集成度低，但速度快，价格高，常用做Cache。

T1和T2组成一个双稳态触发器，用于保存数据。T3和T4为负载管。

如A点为数据D，则B点为数据/D。

行选择线有效（高电平）时，A、B处的数据信息通过门控管T5和T6送至C、D点。

行选择线

列选择线

列选择线有效（高电平）时，C、D处的数据信息通过门控管T7和T8送至芯片的数据引脚I/O。

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动态RAM的单管基本存储单元

集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。

电容上存有电荷时，表示存储数据A为逻辑1；

行选择线有效时，数据通过T1送至B处；

列选择线有效时，数据通过T2送至芯片的数据引脚I/O；

为防止存储电容C放电导致数据丢失，必须定时进行刷新；

动态刷新时行选择线有效，而列选择线无效。（刷新是逐行进行的。）

刷新放大器

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内存储器与并行总线的接口

地址

译码

一、数据线：如果考虑总线负载问题，可加接数据收发器。

二、读写控制线：考虑有效电平。

字选：系统地址总线中的低位地址线直接与各存储芯片的地址线连接。 所需低位地址线的数目N与存储芯片容量L的关系：L＝2N。

片选：系统地址总线中余下的高位地址线经译码后用做不同存储芯片 的片选。通常IO//M信号也参与片选译码。

三、地址线：字选＋片选。

通常都由多片存储芯片构成

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RAM芯片的组成与结构（一）

该RAM芯片外部共有地址线L根，数据线N根；

该类芯片内部采用单译码（字译码）方式，基本存储单元排列成M*N的长方矩阵，且有M=2L的关系成立；

存储芯片容量标为“M*N”（bit）

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RAM芯片的组成与结构（二）

该RAM芯片外部共有地址线2n根，数据线1根；

该类芯片内部一般采用双译码（复合译码、重合选择）方式，基本存储单元排列成N*N的正方矩阵，且有M=22n=N2的关系成立；

存储芯片容量标为“M*1”（bit）

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静态RAM芯片的引脚特性

从三总线的角度看：

1.地址线数目A、数据线数目D与芯片容量（M×N）直接相关：

2A=M

D=N

2.控制信号应包括：片选信号和读/写信号

所以，6264容量：

213×8＝8K×8

可见6264为RAM芯片

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产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1改为0。但只能一次编程。

存储单元多采用熔丝－低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。

编程时VCC和字线电压提高

可编程只读存储器PROM

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紫外线可擦除ROM(UVEPROM)

擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。

缺点：需要两个MOS管；编程电压偏高；P沟道管的开关速度低。