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2025年国家开放大学（电大）《物理电子学》期末考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.物理电子学中，半导体材料的禁带宽度越大，其导电性能（）

A.越好

B.越差

C.不变

D.可能变好也可能变差

答案：B

解析：禁带宽度是指半导体中导带底和价带顶之间的能量差。禁带宽度越大，意味着需要更高的能量才能激发电子跃迁到导带，从而导电性能越差。反之，禁带宽度越小，导电性能越好。

2.PN结在正向偏置时，其耗尽层宽度的变化是（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

答案：B

解析：当PN结施加正向偏置时，P区的空穴和N区的电子分别向结区移动，导致结区内的空间电荷区（耗尽层）变窄。这是因为外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，从而减少了耗尽层的宽度。

3.晶体三极管放大电路中，为了稳定静态工作点，通常采用（）

A.电压负反馈

B.电流负反馈

C.串联负反馈

D.并联负反馈

答案：B

解析：电流负反馈可以稳定放大电路的静态工作点，因为它能够自动调节输入电流，从而使得输出电流和电压保持稳定。电压负反馈主要用于稳定输出电压，而串联负反馈和并联负反馈则主要用于改善输入输出阻抗。

4.集成运算放大器在开环状态下，其输出电压与输入电压的关系是（）

A.线性关系

B.非线性关系

C.对称关系

D.无关关系

答案：B

解析：集成运算放大器在开环状态下，其增益非常高，输入电压即使非常小，也会导致输出电压达到饱和状态。因此，输出电压与输入电压的关系是非线性的，而不是线性关系。

5.数字电路中，TTL逻辑门电路的输入端采用多发射极管结构，其主要目的是（）

A.提高输入阻抗

B.增强驱动能力

C.实现逻辑功能

D.防止噪声干扰

答案：B

解析：TTL逻辑门电路的输入端采用多发射极管结构，主要是为了增强驱动能力。多发射极管可以使得电路在输入高电平时能够吸收更多的输入电流，从而提高电路的驱动能力。

6.MOSFET管在饱和区工作时，其输出特性曲线的形状是（）

A.水平直线

B.垂直直线

C.抛物线

D.直角三角形

答案：A

解析：MOSFET管在饱和区工作时，其输出特性曲线近似为水平直线，这是因为此时漏极电流ID主要由栅极电压VGS决定，而与漏极电压VDS的关系较小。

7.光纤通信中，光纤的损耗主要来自于（）

A.材料吸收

B.弯曲损耗

C.连接损耗

D.以上都是

答案：D

解析：光纤的损耗主要来自于材料吸收、弯曲损耗和连接损耗。材料吸收是指光纤材料本身对光信号的吸收，弯曲损耗是指光纤弯曲时对光信号的损耗，连接损耗是指光纤连接处对光信号的损耗。

8.半导体光电探测器的工作原理是基于（）

A.光电效应

B.霍尔效应

C.热电效应

D.电磁感应

答案：A

解析：半导体光电探测器的工作原理是基于光电效应。当光照射到半导体材料上时，会激发电子跃迁，从而产生电流或电压信号。

9.模拟信号转换为数字信号的过程称为（）

A.采样

B.量化

C.编码

D.转换

答案：D

解析：模拟信号转换为数字信号的过程称为转换，这个过程包括采样、量化和编码三个步骤。采样是将连续的模拟信号转换为离散的信号，量化是将离散的信号转换为数字信号，编码是将数字信号转换为二进制代码。

10.集成电路制造过程中，光刻工艺的主要作用是（）

A.形成电路图案

B.抑制电路噪声

C.提高电路速度

D.增强电路驱动能力

答案：A

解析：集成电路制造过程中，光刻工艺的主要作用是形成电路图案。通过光刻工艺，可以在半导体晶圆上形成微小的电路图案，从而实现各种电子功能。

11.半导体中，掺杂浓度越高，其多数载流子的浓度（）

A.越低

B.越高

C.不变

D.先升高后降低

答案：B

解析：掺杂是指在半导体材料中掺入微量杂质，以改变其导电性能。掺杂浓度越高，意味着单位体积内的杂质原子数越多，从而能够提供更多的载流子（电子或空穴），使得多数载流子的浓度越高。

12.二极管正向导通时，其管压降通常在哪个范围内（）

A.0.1V~0.2V

B.0.5V~0.7V

C.1.0V~1.5V

D.2.0V~2.5V

答案：B

解析：二极管正向导通时，其PN结被正向偏置，此时结区内的耗尽层变窄，多数载流子能够顺利通过结区。对于硅二极管，其正向导通时的管压降通常在0.5V~0.7V范围内；对于锗二极管，其正向导通时的管压降通常在0.1V~0.2V范围内。

13.放大电路的频率响应特性主要由哪些因素决定（）

A.耦合电容和旁路电容

B.三极管的极间电容

C.电路的增益

D.A和B