2025秋招：工艺整合笔试题及答案.docVIP

2025秋招：工艺整合笔试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于芯片互连？

A.光刻

B.刻蚀

C.化学气相沉积

D.电镀

2.光刻工艺中，用于控制曝光图形尺寸的是？

A.光刻机

B.光刻胶

C.掩膜版

D.显影液

3.下列哪种气体常用于等离子刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

4.化学机械抛光主要用于？

A.去除表面杂质

B.平整芯片表面

C.改变材料成分

D.提高芯片导电性

5.热氧化工艺中，生成的氧化层主要成分是？

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.氧化锌

6.离子注入的主要目的是？

A.改变材料表面形貌

B.改变材料电学性能

C.提高材料硬度

D.增强材料耐腐蚀性

7.以下哪种工艺不属于薄膜沉积工艺？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电镀

D.光刻

8.光刻工艺中，曝光后需要进行的步骤是？

A.涂胶

B.显影

C.刻蚀

D.去胶

9.刻蚀工艺中，各向异性刻蚀的特点是？

A.横向和纵向刻蚀速率相同

B.横向刻蚀速率大于纵向

C.纵向刻蚀速率大于横向

D.只进行横向刻蚀

10.化学气相沉积中，CVD是指？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.原子层沉积

D.分子束外延

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.薄膜沉积

D.离子注入

2.光刻工艺的关键步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.去胶

3.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.等离子刻蚀

D.化学刻蚀

4.薄膜沉积工艺的方法有？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电镀

D.热氧化

5.离子注入工艺的影响因素有？

A.离子能量

B.离子剂量

C.注入角度

D.衬底温度

6.化学机械抛光的作用有？

A.去除表面凸起

B.平整芯片表面

C.提高表面光洁度

D.去除表面杂质

7.热氧化工艺的优点有？

A.氧化层质量高

B.工艺简单

C.成本低

D.可精确控制氧化层厚度

8.光刻工艺中，光刻胶的性能要求包括？

A.高分辨率

B.高灵敏度

C.良好的粘附性

D.耐刻蚀性

9.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

10.以下哪些属于半导体制造中的前道工艺？

A.光刻

B.刻蚀

C.封装

D.测试

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是芯片制造中最重要的工艺之一。（）

2.刻蚀工艺只能进行横向刻蚀。（）

3.化学气相沉积可以精确控制薄膜的成分和厚度。（）

4.离子注入不会改变材料的电学性能。（）

5.化学机械抛光主要用于去除芯片表面的杂质。（）

6.热氧化工艺生成的氧化层质量不如物理气相沉积的薄膜质量高。（）

7.光刻胶的灵敏度越高，曝光时间越短。（）

8.工艺整合只需要考虑工艺的先进性，不需要考虑成本。（）

9.干法刻蚀比湿法刻蚀更具有各向异性。（）

10.等离子刻蚀属于湿法刻蚀。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将设计图形投射到涂有光刻胶的硅片上，经曝光、显影等步骤，在光刻胶上形成图形，为后续刻蚀等工艺做准备。

2.刻蚀工艺的目的是什么？

刻蚀目的是将光刻胶上的图形精确转移到下层材料上，去除不需要的部分，形成所需的电路图形和结构，保证芯片功能实现。

3.化学气相沉积的优点有哪些？

化学气相沉积可精确控制薄膜成分、厚度和结构，能在复杂形状表面沉积，沉积速率较高，薄膜质量好，与其他工艺兼容性强。

4.离子注入工艺的作用是什么？

离子注入可精确控制杂质的种类、浓度和深度分布，改变半导体材料的电学性能，如形成PN结、调整阈值电压等。

讨论题（每题5分，共4题）

1.工艺整合中如何平衡工艺先进性和成本？

可根据产品定位和市场需求，选择适度先进工艺。对关键环节采用先进技术保证性能，非关键部分用成熟低成本工艺，同时优化流程提高效率降低成本。

2.光刻工艺中光刻胶的性能对芯片制造有何影响？

高分辨率光刻胶可实现更小图形，提高芯片集成度；高灵敏度能缩短曝光时间，提高生产效率；良好粘附性和耐刻蚀性保证图形转移质量，影响芯片性能和良率。

3.刻蚀工艺的各向异性和各向同性对芯片制造有什么不同作用？

各向异性刻蚀纵向速率快，能精确形成垂直侧壁，用于精细图形；各向同性刻蚀横向和纵向速率相近，可用于去除大面积材料或形成圆形结构，满足不同设计需求。

4