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2025秋招：工艺整合题库及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不属于常见的光刻工艺步骤？

A.涂胶

B.显影

C.刻蚀

D.曝光

2.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除杂质

B.表面平坦化

C.增加厚度

D.改变颜色

3.离子注入的主要目的是？

A.改变材料硬度

B.改变材料导电性

C.增加材料韧性

D.提高材料透明度

4.下列哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

5.热氧化工艺中，哪种气氛生长的氧化层质量较好？

A.干氧

B.湿氧

C.水汽

D.氮气

6.光刻工艺中，分辨率与下列哪个因素无关？

A.光源波长

B.数值孔径

C.光刻胶厚度

D.曝光时间

7.扩散工艺主要用于？

A.杂质掺杂

B.表面镀膜

C.去除氧化层

D.提高材料强度

8.以下哪种不是薄膜沉积的方法？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电镀

D.刻蚀

9.衡量光刻胶性能的指标不包括？

A.感光度

B.对比度

C.硬度

D.分辨率

10.工艺整合中，对芯片性能影响最大的环节是？

A.光刻

B.清洗

C.封装

D.测试

多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺涉及的材料有？

A.光刻胶

B.掩膜版

C.硅片

D.显影液

2.化学机械抛光（CMP）的影响因素包括？

A.压力

B.转速

C.抛光液成分

D.温度

3.离子注入可能带来的问题有？

A.晶格损伤

B.杂质分布不均匀

C.表面粗糙度增加

D.材料变色

4.等离子体刻蚀的优点有？

A.高选择性

B.各向异性好

C.刻蚀速率快

D.对材料损伤小

5.热氧化工艺的特点有？

A.氧化层质量高

B.生长速率慢

C.可精确控制厚度

D.成本低

6.薄膜沉积的作用有？

A.形成导电层

B.作为绝缘层

C.保护芯片表面

D.改变芯片颜色

7.工艺整合需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.芯片性能

8.光刻工艺的关键参数有？

A.曝光剂量

B.焦距

C.光刻胶厚度

D.显影时间

9.扩散工艺的影响因素有？

A.温度

B.时间

C.杂质浓度

D.扩散气氛

10.芯片制造中的清洗工艺主要去除？

A.颗粒杂质

B.金属杂质

C.有机物杂质

D.氧化层

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是芯片制造中最关键的工艺之一。（）

2.化学机械抛光（CMP）只能用于硅片表面。（）

3.离子注入后不需要进行退火处理。（）

4.等离子体刻蚀只能进行各向异性刻蚀。（）

5.热氧化工艺生长的氧化层厚度可以无限增加。（）

6.薄膜沉积的厚度可以精确控制。（）

7.工艺整合只需要考虑工艺的可行性，不需要考虑成本。（）

8.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

9.扩散工艺中，温度越高，扩散速率越快。（）

10.芯片制造中的清洗工艺对芯片性能影响不大。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的主要步骤。

答：主要步骤为涂胶，在硅片表面均匀涂光刻胶；曝光，用特定波长光透过掩膜版照射光刻胶；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶与硅片结合力和抗蚀性。

2.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

答：CMP利用化学腐蚀和机械磨削协同作用。抛光液中的化学物质与材料表面发生化学反应，生成易去除的反应层，再通过抛光垫的机械摩擦去除反应层，实现表面平坦化。

3.离子注入后为什么要进行退火处理？

答：离子注入会造成晶格损伤和杂质分布不均。退火可修复晶格损伤，使注入杂质激活，恢复材料晶体结构，还能使杂质扩散到合适位置，改善材料电学性能。

4.简述工艺整合的重要性。

答：工艺整合可确保各工艺环节兼容，提高芯片性能和良率。能优化生产流程，降低成本、提高效率。还可根据设计要求灵活组合工艺，满足不同芯片制造需求。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺中分辨率的影响因素及提高方法。

答：影响因素有光源波长、数值孔径、光刻胶性能等。可采用短波长光源，如EUV；增大镜头数值孔径；选用高性能光刻胶；优化曝光和显影工艺参数来提高分辨率。

2.分析化学机械抛光（CMP）在工艺整合中的挑战及应对策略。

答：挑战有抛光不均匀、表面划伤、材料去除速率难控制等。应对策略是优化抛光工艺参数，如压力、转速；改进抛光液配方；采用先进的抛光设备和监测技术。

3.探讨离子注入技术在未来芯片制造中的发展趋势。

答：未来离子注入会向高精度、低损伤、大尺寸方向发展。会开发新的注入技术