硅单晶生长工艺对石英坩埚的主要技术要求.pptVIP

硅单晶生长工艺对石英坩埚的主要技术要求.ppt

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第1页,共15页,星期日,2025年,2月5日内容1、杂质元素的含量对石英坩埚使用性能的影响2、石英坩埚的结构对使用性能的影响3、总结*第2页,共15页,星期日,2025年,2月5日1.1金属杂质诱生硅晶体中的微缺陷PhotographsofpreferentiallyetchedwafersandopticalmicrographsofsurfacedefectsinducedbyNi,CuandFeatasurfaceconcentrationofabout1×1013atoms/cm2.Leftsideforeachelementshowingshallowpitsformation:annealedat1150oCfor1hourinN2aftercontaminationandrightsideshowingOSFformation:additionallyoxidizedat1000oCfor16hoursindryO2aftertheshallowpitsformation(MasatakaHouraietal,J.Appl.Phys.28(1989)2413)第3页,共15页,星期日,2025年,2月5日DeansityofOSFinducedbyNi,CuandFeafterthe2stepanneal(annealedat1150oCfor1hourinN2aftersurfacecontamination,additionallyoxidizedat1000oCfor16hoursindryO2)forOSFformationasafunctionofthesurfacemetalconcentration(MasatakaHouraietal,J.Appl.Phys.28(1989)2413)第4页,共15页,星期日,2025年,2月5日1.2主要坩埚原料和常用石英坩埚成分比较第5页,共15页,星期日,2025年,2月5日(1)、国产石英坩埚相当于QC530(standardsand)(2)、采用高纯度的天然石英砂或合成石英砂生产满足电子级要求的石英坩埚(减少单晶中的微缺陷密度)(3)、使用合成石英砂制造的坩埚能得到最低的Al、B、碱金属和重金属杂质含量*第6页,共15页,星期日,2025年,2月5日1.3国产与进口石英坩埚杂质成份比较第7页,共15页,星期日,2025年,2月5日使用低铝、低硼的原料制造的高纯国产石英坩埚表现出杂质成份批次间变化很不稳定、碱金属杂质含量大的特点,主要原因有:(1)、坩埚生产车间环境控制:普通的环境难以满足稳定高纯坩埚质量的要求(2)、清洗能力不足(3)、与低纯度坩埚混线生产,低品质原料沾污问题难以解决*第8页,共15页,星期日,2025年,2月5日QC530HS100X国产高纯石英坩埚(IOTA-5)进口高纯石英坩埚(低铝、低硼、低碱金属)进口合成料石英坩埚1.4使用不同品种的石英坩埚、相同拉晶工艺制造的硅片OSF比较第9页,共15页,星期日,2025年,2月5日2、国产与进口石英坩埚结构比较

(坩埚口)QC530(高温使用98小时)国产(CGU)(高温使用51小时)*第10页,共15页,星期日,2025年,2月5日2、国产与进口石英坩埚结构比较

(三相点以下坩埚壁)QC530(高温使用98小时)国产(CGU)(高温使用51小时)*第11页,共15页,星期日,2025年,2月5日

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