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2025校招：工艺整合笔试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于半导体掺杂？

A.光刻

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.物理气相沉积

2.光刻工艺的关键设备是？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.清洗机

D.扩散炉

3.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.平坦化晶圆表面

C.形成金属互连

D.进行离子注入

4.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氩气

D.氯气

5.半导体制造中，氧化工艺的主要目的是？

A.形成绝缘层

B.提高导电性

C.去除杂质

D.增加晶圆强度

6.物理气相沉积（PVD）不包括以下哪种方法？

A.溅射

B.蒸发

C.化学镀

D.离子镀

7.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护晶圆表面

B.形成图形

C.提高光刻精度

D.增加晶圆硬度

8.刻蚀工艺分为干法刻蚀和？

A.湿法刻蚀

B.化学刻蚀

C.物理刻蚀

D.等离子体刻蚀

9.以下哪种工艺用于形成半导体器件的有源区？

A.光刻

B.扩散

C.离子注入

D.氧化

10.半导体制造的洁净室等级通常用什么表示？

A.温度

B.湿度

C.尘埃颗粒数

D.气压

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺顺序

B.工艺兼容性

C.成本

D.生产效率

2.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.化学气相沉积（CVD）的优点有？

A.沉积速率高

B.膜层质量好

C.可精确控制膜厚

D.设备成本低

4.等离子体刻蚀的特点有？

A.各向异性好

B.刻蚀速率快

C.对晶圆损伤小

D.可选择性刻蚀

5.半导体制造中的清洗工艺包括？

A.湿法清洗

B.干法清洗

C.超声波清洗

D.兆声波清洗

6.氧化工艺可分为？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.等离子体氧化

7.物理气相沉积（PVD）的优点有？

A.膜层纯度高

B.与基底结合力强

C.可在低温下沉积

D.可制备多种材料膜层

8.光刻工艺中影响光刻精度的因素有？

A.光刻机分辨率

B.光刻胶性能

C.晶圆平整度

D.曝光剂量

9.刻蚀工艺的选择原则包括？

A.刻蚀速率

B.刻蚀选择性

C.刻蚀均匀性

D.对晶圆的损伤

10.半导体制造中的检测技术包括？

A.光学检测

B.电子束检测

C.原子力显微镜检测

D.X射线检测

判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合的目标是将各个工艺步骤有机结合，实现高效生产。（）

2.光刻工艺只能用于半导体制造。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能沉积绝缘层。（）

4.等离子体刻蚀是一种各向同性刻蚀方法。（）

5.清洗工艺在半导体制造中只需要进行一次。（）

6.氧化工艺形成的氧化层厚度与氧化时间成正比。（）

7.物理气相沉积（PVD）可以制备金属膜和半导体膜。（）

8.光刻精度只与光刻机的分辨率有关。（）

9.刻蚀工艺中，刻蚀选择性越高越好。（）

10.半导体制造中的检测技术主要用于检测晶圆表面的缺陷。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述工艺整合的重要性。

工艺整合可优化生产流程，提高产品性能与良率，降低成本，确保各工艺步骤协调，提升生产效率与竞争力，满足市场对产品质量和产量的需求。

2.光刻工艺的主要作用是什么？

光刻工艺是半导体制造核心，通过光刻胶将掩膜版图形转移到晶圆上，为后续刻蚀、掺杂等步骤提供精确图形，决定器件尺寸和性能。

3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

CMP利用化学腐蚀和机械研磨协同作用，在抛光液化学作用和抛光垫机械摩擦下，去除晶圆表面材料，实现全局平坦化。

4.刻蚀工艺的分类及特点有哪些？

刻蚀分干法和湿法。干法各向异性好、速率快、可选择性刻蚀；湿法成本低、设备简单，但各向同性强，对图形控制难。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论工艺整合中如何平衡成本和质量。

可通过优化工艺顺序、提高设备利用率控制成本。同时，严格把控原材料质量、加强工艺监控保证质量。在关键工艺环节保证质量前提下，在非关键处降低成本。

2.分析光刻工艺对半导体制造的影响。

光刻决定器件最小尺寸和集成度，影响性能和功耗。其精度不足会致器件性能下降、良率降低。先进光刻技术推动半导体技术发展。

3.探讨化学气相沉积（CVD）在不同应用场景中的优势。

在制备绝缘层时，CVD可精确控制膜厚和成分，膜层质量好；用于金属互连，能实现良好台阶覆盖；在制备半导体薄膜时