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模拟电路与数字电路第1页，共37页，星期日，2025年，2月5日内容提要半导体基础知识晶体二极管特殊二极管晶体三极管场效应管第2页，共37页，星期日，2025年，2月5日2.1半导体的基础知识本征半导体杂质半导体载流子的运动方式及形成的电流第3页，共37页，星期日，2025年，2月5日半导体及其材料·导体:电阻率ρ小于10-3Ω·cm·绝缘体:ρ大于108Ω·cm·半导体:ρ介于导体和绝缘体之间。常用半导体材料有:硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓(GaAs)等2.1.1半导体电阻率：数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的电阻。第4页，共37页，星期日，2025年，2月5日本征半导体半导体的原子结构:本征半导体——化学成分纯净的半导体。在物理结构上呈单晶体形态。硅(Si)锗(Ge)制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。第5页，共37页，星期日，2025年，2月5日掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其电阻率大大下降而导电能力显著增强。据此可制作各种半导体器件，如二极管和三极管等。半导体特性本征半导体第6页，共37页，星期日，2025年，2月5日光敏性：当受到光照时，半导体的电阻率随着光照增强而下降，其导电能力增强。据此可制作各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。半导体的特性热敏性：半导体的电阻率随着温度的上升而明显下降，其导电能力增强。据此可制作温度敏感元件，如热敏电阻。本征半导体第7页，共37页，星期日，2025年，2月5日半导体的共价键结构共价键共价键中的两个价电子原子核本征半导体概念第8页，共37页，星期日，2025年，2月5日本征激发（热激发）本征半导体的导电机理本征激发产生的空穴价电子价电子受热或受光照（即获得一定能量）后，可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个带正电的空穴。该现象称为本征激发(热激发)本征激发产生的自由电子第9页，共37页，星期日，2025年，2月5日本征激发（热激发）本征半导体的导电机理空穴价电子自由电子在热激发下，本征半导体中存在两种能参与导电的载运电荷的粒子(载流子)：成对的电子和空穴复合——自由电子回到共价键结构中的现象。此时电子空穴成对消失。第10页，共37页，星期日，2025年，2月5日本征半导体的导电机理自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差。(2)温度越高，载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。可见，温度对半导体器件性能影响很大。T＝300K时电子浓度硅：锗：铜：第11页，共37页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体杂质半导体—在本征半导体中掺入微量其它元素而得到的半导体。杂质半导体可分为：N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类。第12页，共37页，星期日，2025年，2月5日1.N型半导体在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而得到的杂质半导体。结构图第13页，共37页，星期日，2025年，2月5日掺杂后，某些位置上的硅原子被5价杂质原子（如磷原子）取代。磷原子的5个价电子中，4个价电子与邻近硅原子的价电子形成共价键，剩余价电子只要获取较小能量即可成为自由电子。同时，提供电子的磷原子因带正电荷而成为正离子。电子和正离子成对产生。上述过程称为施主杂质电离。5价杂质原子又称施主杂质。1.N型半导体常温下杂质原子电离，产生电子—正离子第14页，共37页，星期日，2025年，2月5日这种电子为多数载流子的杂质半导体称为N型半导体。可见：在N型半导体中自由电子是多数载流子（简称多子）；空穴是少数载流子（简称少子）。N型半导体中还存在来自于热激发的电子-空穴对。1.N型半导体N型半导体是否带电？正负电荷数相等，N型半导体呈电中性N型半导体中电子-空穴数是否相同？第15页，共37页，星期日，2025年，2月5日在本征半导体中掺入微量三价元素物质（硼、铝等）而得到的杂质半导体。结构图2.P型半导体幻灯片放映????????????????????????