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硬件工程师招聘笔试题与参考答案2025年

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.某DDR4-3200颗粒的tCK标称值为0.625ns，若控制器采用1:4读写均衡模式，则其UI（UnitInterval）最接近

A.78ps??B.156ps??C.312ps??D.625ps

答案：B

2.在PCIe4.0x16链路中，若采用128b/130b编码，有效带宽约等于

A.16GB/s??B.24GB/s??C.31.5GB/s??D.64GB/s

答案：C

3.某Buck转换器输入12V，输出1.2V/20A，理想占空比为

A.5%??B.10%??C.15%??D.20%

答案：B

4.下列哪项EMC测试最容易暴露共模电流路径设计缺陷

A.IEC61000-4-2ESD??B.IEC61000-4-4EFT??C.IEC61000-4-5Surge??D.CISPR32传导发射

答案：D

5.在-40℃环境下，某MLCC容值下降20%，其主要原因是

A.介质老化??B.铁电相变??C.直流偏压??D.机械裂纹

答案：B

6.对于10G-KR链路，DFEtap1的主要作用是抵消

A.近端串扰??B.符号间干扰??C.共模噪声??D.时钟抖动

答案：B

7.某FPGA的LVDSIO标称VOD=350mV，共模电压1.25V，若终端100Ω差分，则单端摆幅约为

A.175mV??B.350mV??C.700mV??D.1.25V

答案：A

8.在I2C总线中，若Fast-modePlus1MHz下希望tr120ns，上拉电阻最大可取

A.570Ω??B.1kΩ??C.1.7kΩ??D.2.2kΩ

答案：A

9.某运放GBW=10MHz，闭环增益+20dB，则-3dB带宽约

A.1MHz??B.3MHz??C.10MHz??D.20MHz

答案：A

10.在PoE++（90W）应用中，线对最大持续电流按IEEE802.3bt规定不超过

A.600mA??B.960mA??C.1.2A??D.1.75A

答案：B

11.下列哪种磁芯材料最适合设计2MHzLLC变压器

A.硅钢??B.铁氧体3C90??C.铁镍钼??D.非晶

答案：B

12.某ADCSNR=70dB，采样率80MSPS，输入满幅1Vpp，则其理论有效位数ENOB约

A.9.3bit??B.11.3bit??C.13.3bit??D.14bit

答案：B

13.在USB4Gen340Gbps链路中，采用NRZ调制，UI抖动预算rms值约

A.0.5ps??B.1ps??C.2ps??D.5ps

答案：B

14.若某MOSFETQg=60nC，驱动电压10V，驱动器源阻抗2Ω，理论开启时间约

A.6ns??B.12ns??C.24ns??D.60ns

答案：B

15.在卫星电子产品中，总电离剂量TID100krad(Si)等效于

A.1kGy??B.0.1kGy??C.10Gy??D.1Gy

答案：A

二、多项选择题（每题3分，共30分；多选少选均不得分）

16.影响SerDes通道插损的主要因素包括

A.走线长度??B.介电常数??C.铜箔粗糙度??D.过孔残桩??E.接收端均衡

答案：ABCD

17.下列哪些措施可降低Buck转换器EMI辐射

A.开关节点铺铜最小化??B.采用屏蔽电感??C.增加RCsnubber??D.降低开关频率??E.使用GaN器件

答案：BCD

18.关于FPGA电源上电顺序，正确的有

A.核电压最先上电??B.先VCCIO后VCCINT??C.可用PGOOD级联??D.可用RC延迟??E.可用电源管理IC

答案：CDE

19.在DDR4Fly-by拓扑中，以下哪些做法可改善时序

A.严格等长DQ-DQS组内匹配??B.地址线长度随插槽递增??C.使用ODT??D.使用VrefCA训练??E.降低驱动阻抗

答案：ABCD

20.关于CANFD物理层，正确的有

A.数据段速率可达8Mbps??B.采用差分电压±1V??C.终端120Ω??D.需支持三态??E.需支持ID过滤