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2025年大学《能源化学》专业题库——太阳能电池的半导体化学结构与光电性能关联研究

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

简述能带理论的基本内容，并说明半导体的能带结构与其化学组成、晶体缺陷和应力状态的关系。

二、

掺杂是如何改变半导体材料的电学性质的？请分别说明n型和p型掺杂的化学原理及其对载流子浓度、迁移率和能带结构的影响。

三、

解释本征复合与杂质复合的区别。请列举两种常见的能隙杂质，并说明它们通过哪种机制影响半导体的光电性能（如载流子寿命、开路电压）。

四、

太阳能电池的光电转换效率主要由哪些因素决定？请从半导体材料化学结构的角度，分别阐述每个因素与材料结构的关联。

五、

硅基太阳能电池的效率受到体缺陷和表面缺陷的严重限制。请分别说明体缺陷（如晶体学缺陷）和表面缺陷（如悬挂键、钝化层）对载流子寿命和电池开路电压的主要影响机制。

六、

钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转换潜力，但其化学稳定性是主要挑战之一。请从材料化学结构的角度，分析钙钛矿材料中可能存在的化学不稳定性因素，并简述提高其稳定性的常见化学策略。

七、

异质结在太阳能电池中扮演着关键角色。请以p-n异质结为例，说明界面能级结构是如何形成的，并解释其对于载流子注入/提取效率的影响。请再列举一种其他类型的异质结及其在太阳能电池中的应用，并简述其工作原理。

八、

薄膜太阳能电池的制备工艺对其光电性能有重要影响。请简述物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种主要薄膜制备技术的原理，并分别说明它们在控制薄膜化学结构（如晶相、掺杂浓度、缺陷）方面的特点及其对电池性能的潜在影响。

九、

表征技术是研究太阳能电池半导体化学结构与光电性能关系的重要手段。请分别说明X射线光电子能谱（XPS）和光致发光光谱（PL）在揭示半导体材料化学组成、缺陷状态和载流子复合特性方面的作用原理。

十、

当前太阳能电池研究面临效率、成本和稳定性的多重挑战。请结合半导体化学结构与光电性能关联的知识，提出一种针对下一代高效、稳定太阳能电池材料化学结构设计的思路或方案。

试卷答案

一、

能带理论认为，晶体中所有电子的量子态将形成能带，相邻能带之间存在禁带。半导体的能带结构与其化学组成相关，不同元素的原子外层电子结构不同，形成能带的位置和宽度也不同。晶体缺陷（如空位、填隙、位错）会引入额外的能级，这些能级可能位于禁带中（杂质能级）或扩展原有的能带，从而改变能带的宽度、态密度和能带间的相互作用。应力状态（拉伸或压缩）会改变晶格常数，引起能带发生线性位移，并可能改变能带宽度。

二、

掺杂是通过人为引入少量杂质原子来改变半导体材料的电学性质。n型掺杂引入五价元素（如磷P、砷As），其多余的一个电子占据导带底附近，使导带电子浓度显著增加，而价带空穴浓度基本不变。p型掺杂引入三价元素（如硼B、镓Ga），其缺少的一个电子在价带留下一个空位（空穴），使价带空穴浓度显著增加，而导带电子浓度基本不变。掺杂浓度改变载流子浓度，高掺杂浓度通常导致迁移率略有下降（因散射增强），但能级位置发生改变（杂质能级出现在禁带中），显著影响复合。

三、

本征复合是指半导体中电子和空穴在热激发下相遇并重新结合，没有杂质参与，其复合速率只与温度和本征载流子浓度有关。杂质复合是指电子或空穴与半导体材料中的杂质能级（位于禁带中）相互作用后复合。常见的能隙杂质包括：a)受主杂质（如硼B），其杂质能级位于价带顶附近，捕获电子，使电子与空穴复合速率增加，载流子寿命缩短；b)施主杂质（如磷P），其杂质能级位于导带底附近，捕获空穴，使电子与空穴复合速率增加，载流子寿命缩短。杂质复合对开路电压的影响主要通过影响minoritycarrierlifetime实现。

四、

太阳能电池的光电转换效率主要由短路电流密度（Jsc）、开路电压（Voc）和填充因子（FF）决定，效率=η=(Jsc*Voc*FF)/(q*IlluminantPower)。从半导体化学结构角度：a)Jsc与半导体的光吸收系数和少数载流子扩散长度相关，化学结构决定能带隙（影响光吸收范围）和晶体质量（影响少数载流子寿命和扩散长度）；b)Voc与半导体的内建电场和少数载流子能级有关，化学结构通过能带隙、掺杂浓度均匀性、缺陷钝化程度等影响内建电场和少数载流子复合速率；c)FF与串联电阻和并联电阻相关，化学结构通过影响体电阻、表面复合速率、界面态等影响串联电阻和并联电阻。

五、

体缺陷（如点缺陷、位错、晶界）会显著增加非辐射复合中心，降低少数载流子寿命，从而大幅降低电池的开路电压和短路电流密度。这是因为体缺陷提供的能级通常位于能隙中，易于捕获载流子，促进电子-空穴对的无辐射复合。表面缺陷（如表面态、