半导体第一章.pptVIP

1.3半导体中电子的运动——有效质量1.3.1自由空间的电子*第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日*第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.2半导体中E(k)与k的关系电子有效质量*第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日*第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.3半导体中电子的平均速度电子的平均速度或波包中心的速度*第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.4半导体中电子的加速度*第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.5有效质量的意义一、意义当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力f的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。但是，要找出内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难；引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力f和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括；因此，引进有效质量的意义在于：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用；特别是有效质量可以直接由实验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。*第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日二、性质电子的有效质量概况了半导体内部的势场作用；在能带底部附近，电子的有效质量是正值；在能带顶部附近，电子的有效质量是负值；对于带顶和带底的电子，有效质量恒定；有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。因此，外层电子在外力作用下可以获得较大的加速度。三、特点决定于材料；与电子的运动方向有关；与能带的宽窄有关。*第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日在能带底部附近：d2E/dk2＞0电子的有效质量是正值；在能带顶部附近：d2E/dk2＜0电子的有效质量是负值；原因是电子的有效质量概括了半导体内部的势场作用右图显示了能量、速度和有效质量随k的变化曲线：*第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日Si、Ge、GaAs的晶体结构导体、半导体、绝缘体的能带有效质量本征半导体导电机构、空穴Si、Ge、GaAs的能带结构本章重点：*第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体的晶体结构和结合性质1.1.1金刚石型结构和共价键(Si、Ge)化学键：构成晶体的结合力共价键：由同种晶体构成的元素半导体，其原子间无负电性差，它们通过共用两个自旋相反而配对的价电子结合在一起。*第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日金刚石型结构特点：每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，组成四个共价键，它们之间具有相同的夹角（键角）109°28′。*第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日金刚石型结构的结晶学原胞是立方对称的晶胞，可以看成是两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线互相位移了1／4的空间对角线长度套构而成的。原子在晶胞中排列的情况是：八个原子位于立方体的八个角顶上，六个原子位于六个面中心上，晶胞内部有四个原子。立方体顶角和面心上的原子与这四个原子周围情况不同，所以它是由相同原子构成的复式晶格。晶格常数Si：a=5.65754?Ge：a=5.43089?*第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.1.2闪锌矿型结构和混合键(GaAs)化学键：共价键+离子键闪锌矿型结构特点：与金刚石型结构类似，不同的是该结构由两类不同的原子组成。*第6页，共54页，星期日，2025年，2月5日闪锌矿型结构的结晶学原胞由两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子被四个异族原子所包围。例如，如果角顶上和面心上的原子是Ⅲ族原子，则晶胞内部四个原子就是Ⅴ族原子，反之亦