实验八 霍尔效应测量磁场（3课时）.pdfVIP

梧州学院学生实验报告

专业班级：学号：姓名：成绩：

实验课程：大学物理实验实验名称：霍尔效应测量磁场

同组成员：实验时间：指导教师：

实验目的：1．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，研究霍尔片的V-I(霍尔电压与工作电流)关系

HS

和V-I(霍尔电压与励磁电流)关系。

HM

3．测量直流螺线管内磁场的分布情况。

实验仪器：DH4512霍尔效应实验测试仪，螺线管实验架、双线圈实验架。

实验原理：

1．霍尔效应原理

霍尔效应从本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力

的作用而引起的偏转。如图8-1所示，磁场B位于z的正向，

与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流Is(称为工作电流)，

假设载流子为电子(N型半导体材料)。由于洛仑兹力f作用，

L

电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并

使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。随着电

荷积累的增加，反向电场力f增大，当两力大小相等，方向相

E

反时，则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间

建立的电场称为霍尔电场E，相应的电势差称为霍尔电势V。图8-1

HH

ffeEevBEvB(8-1)

ELHH

设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的工作电流为

ISnevld(8-2)

由式(8-1)、(8-2)可得：

1IBIB

VElSRS(8-3)

HHH

nedd

R

即霍尔电压V(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度d成反比，比例系数称为霍

HH

尔系数。

当霍尔元件的材料和厚度确定时，设：

Rl

KHH(8-4)

dned

将式(8-4)代入式(8-3)得：

VKIB(8-5)