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固体物理期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体与非晶体的主要区别在于（）。

A.分子量不同B.熔点不同C.原子（或分子）排列是否有长程有序D.热导率不同

2.晶体学中，密勒指数（hkl）的物理意义是（）。

A.通过晶面截取单位长度时的截距B.晶面法向量的分量C.晶面指数D.晶胞参数

3.在面心立方（FCC）结构中，原子密排面是（）。

A.(100)面B.(110)面C.(111)面D.(001)面

4.点缺陷中，空位、填隙原子和间隙原子（）。

A.都可以提高材料的强度B.都会增加材料的电阻C.空位是破坏晶体周期性的缺陷D.填隙原子通常比空位对晶格畸变影响小

5.晶体中产生位错的实质原因是（）。

A.原子排列不规则B.外力作用导致原子层错动C.晶体内部存在应力D.点缺陷的聚集

6.根据能带理论，导体、半导体和绝缘体的主要区别在于（）。

A.晶体结构不同B.原子种类不同C.导带底与价带顶之间的禁带宽度D.杂质浓度不同

7.在金属的能带结构中，费米能级（EF）的位置主要取决于（）。

A.晶体的体积B.晶体的温度C.晶体的化学成分D.以上都是

8.根据紧束缚模型，当紧束缚参数ε增大时，形成的能带（）。

A.宽度变窄B.宽度变宽C.能带中心位置向ε0方向移动D.能带中心位置向ε0方向移动

9.金属的电导率随温度降低而升高，其主要原因是（）。

A.载流子浓度增加B.晶格振动减弱，对电子散射减弱C.载流子迁移率增加D.费米能级降低

10.半导体中，掺杂能显著提高其（）。

A.禁带宽度B.本征载流子浓度C.电导率D.晶体熔点

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上）

1.晶体的密勒指数（hkl）是平行于晶面（hkl）的晶向矢量的________。

2.在体心立方（BCC）结构中，原子密排方向是________方向。

3.点缺陷中的杂质原子，若其半径小于周围溶剂原子半径，则称为________原子；若大于，则称为________原子。

4.位错线周围的晶格存在________应变场。

5.能带理论是基于________原子近似和________近似建立的。

6.在能带结构中，禁带宽度是________带和________带之间的能量差。

7.紧束缚模型中，紧束缚参数ε反映了原子间________的强弱。

8.金属中电子气体的模型通常称为________气体。

9.半导体中，与本征激发无关的载流子是由掺杂引入的，称为________载流子。

10.超导现象的主要特征是零电阻效应和________效应。

三、简答题（每小题5分，共25分。请将答案写在答题纸上对应位置）

1.简述晶体结构和非晶态结构的主要区别。

2.解释什么是点缺陷？并举例说明一种点缺陷及其对材料性能的影响。

3.简述位错的基本类型及其运动方向与力的关系。

4.能带理论是如何解释导体、半导体和绝缘体的导电性能差异的？

5.简述费米能级在金属物理中的意义。

四、计算题（每小题10分，共40分。请将详细的解题过程和答案写在答题纸上对应位置）

1.某晶体属面心立方结构，其晶胞参数a=0.3615nm。计算其(110)晶面的面间距d(110)。

2.金属钠（Na）属体心立方结构，其晶胞参数a=0.429nm。钠的原子量为23g/mol，阿伏伽德罗常数为6.022×1023mol?1。计算钠的密度。

3.设金属铜（Cu）的价电子数为1，费米能级位于导带底附近，导带底能级Ec=0。紧束缚模型给出能带宽度D=9eV。试粗略画出铜的能带示意图（标明Eg,Ef,D），并估算铜的禁带宽度Eg。

4.金属铝（Al）的电阻率为2.65×10??Ω·m，价电子数为3。设金属中电子气体的温度T=300K，电子质量me=9.11×10?31kg，玻尔兹曼常量k=1.38×10?23J/K。试估算铝中电子的迁移率μ。

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试卷答案

一、选择题

1.C

2.A

3.C

4.C

5.B

6.C

7.D

8.B

9.B

10.C

二、填空题

1.倒数

2.体对角线

3.小；大

4.压缩

5.单电子；紧束缚

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