第二章 门电路.pptVIP

第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性2.1.1理想开关的开关特性一、静态特性(一)断开时,无论UAK在多大范围内变化,其等效电阻ROFF=∞,通过其中的电流IOFF=0.(二)闭合时,无论流过其中的电流在多大的范围内变化,其等效电阻RON=0,电压UAK=0.二、动态特性(一)开通时间ton=0,即开关S由断开状态转换到闭合状态不需要时间,可以瞬时完成.(二)闭合时间toff=0,即开关S由闭合状态转换到断开状态不需要时间,亦可以瞬时完成.第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日因为半导体二极管具有单向导电性，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关.1.二极管静态开关特性2.1.2半导体的二极管的开关特性第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日(a)电路图(b)输入高电平时的等效电路(c)输入低电平时的等效电路图2.1二极管静态开关电路及其等效电路第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.二极管动态开关特性

在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。(a)?电路图(b)输入脉冲电压波形(c)实际电路波形

图2.2二极管的动态开关特性

第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.1.3半导体的三极管的开关特性

1．三极管的三种工作状态（1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图1.4.5（b）中的A点。三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为IC＝βIB。三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏（2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。有第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞IBS电压条件为：集电结和发射结均正偏（3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE＝0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有:第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.2分立元器件门电路一、二极管与门电路（a）电路图（B）逻辑符号（C）工作波形二极管与门的工作原理第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日二、二极管或门电路（a）电路图（B）逻辑符号（C）工作波形二极管或门的工作原理第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.2.2三极管非门(反向器)一、半导体三极管非门4.3kRbRc1k＋Vcc＋5VTAU1YuQB=30电路符号AY第11页，共28页，星期日，2025年，2月5日二、工作原理1.u1=u1L=0V时,半导体三极管T显然是截止的,因此iB=0、ic=0,所以VCC=5V.2.u1=U1H=5V时iB=(U1H-uBE)/Rb=(5-0.7)/4.3=1mAIBS≈VCC/BRC=5/30mA≈0.17mA由于iB＞IBS,所以T饱和导通.是一个非逻辑运算,是由一个有半导体三极管组成的非门.第12页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.2.3CMOS集成门电路一、CMOS反相器第13页，共28页，星期日，2025年，2月5日工作原理①输入低电平:Ui=0,Uo=1②输入高电平:Ui=1,Uo=0第14页，共28页，星期日，2025年，2月5日二CMOS门电路或非门驱动管并联负载管并联或非：有1出0，全1出1第15页，共28页，星期日，2025年，2月5日第16页，共28页，星期日，2025年，2月5日三.CMOS传输门电路结构：第17页，共28页，星期日，