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量子比特退相干时间在自旋轨道耦合材料中的理论计算

摘要

本报告系统性地研究了量子比特退相干时间在自旋轨道耦合材料中的理论计算方

法。量子退相干是量子计算技术发展的核心瓶颈之一，而自旋轨道耦合材料因其独特的

物理特性，在延长量子比特相干时间方面展现出巨大潜力。报告首先分析了量子计算

领域的发展现状及国家相关政策支持，然后深入探讨了自旋轨道耦合材料的物理机制

及其对量子退相干的影响。通过建立多体量子系统理论模型，结合密度矩阵重正化群

(DMRG)和量子蒙特卡洛(QMC)等先进计算方法，提出了系统的理论计算框架。报告

详细阐述了从材料筛选、模型构建到数值模拟的完整技术路线，并设计了分阶段实施方

案。预期成果包括建立自旋轨道耦合材料数据库、开发专用计算软件包以及发表高水平

学术论文。同时，报告对可能面临的技术风险和实施难点进行了全面评估，并提出了相

应的保障措施。本研究的突破将为量子计算机硬件设计提供关键理论支撑，对我国抢占

量子科技战略制高点具有重要意义。

引言与背景

量子计算的战略意义

量子计算作为颠覆性计算范式，其发展水平已成为衡量国家科技竞争力的重要指

标。根据《国家量子科技发展规划年）》，我国将量子科技列为”十四五”期间

重点发展的前沿技术领域。与传统计算机相比，量子计算机利用量子叠加和纠缠特性，

在密码破解、药物研发、材料设计等领域展现出指数级加速潜力。然而，量子比特的脆

弱性导致其极易与环境发生相互作用而产生退相干，这是制约量子计算实用化的核心

障碍。当前超导量子比特的相干时间通常在微秒量级，而拓扑量子比特等新型体系有望

将相干时间延长至毫秒量级，这正是本研究的切入点。

自旋轨道耦合材料的研究价值

自旋轨道耦合(SOC)是量子力学中描述电子自旋与轨道运动相互作用的物理效应。

在强SOC材料中，自旋自由度与晶格动量紧密耦合，形成了独特的电子态结构。近年

来研究表明，这类材料中的某些拓扑保护态可以有效抑制环境噪声对量子比特的干扰。

例如，铋化物、拓扑绝缘体和Weyl半金属等材料体系，因其特殊的能带结构，被认为

有望实现长相干时间的量子比特存储。据国际量子技术报告统计，2022年全球在SOC

材料量子应用领域的研发投入已达15亿美元，年增长率超过30%。

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退相干时间理论计算的挑战

量子退相干时间的理论计算涉及多体量子系统的复杂动力学过程，存在三大核心

挑战：一是需要同时考虑电子声子、电子电子等多种散射通道；二是必须处理强关联效

应带来的计算复杂度；三是缺乏统一的计算框架来比较不同材料体系的性能。目前主流

方法包括主方程法、路径积分法和数值重正化群等，但各有局限性。本报告旨在建立一

套系统化的理论计算方法，为SOC材料中量子比特的优化设计提供可靠依据。

研究概述

研究目标与定位

本研究的核心目标是建立自旋轨道耦合材料中量子比特退相干时间的精确理论计

算框架，并筛选出具有长相干时间潜力的材料体系。具体包括：(1)阐明SOC强度与退

相干时间的定量关系；(2)开发适用于强关联SOC材料的高效数值算法；(3)构建包含

至少50种候选材料的性能数据库；(4)提出至少3种新型量子比特设计方案。研究定

位为应用基础研究，重点解决量子计算硬件开发中的关键物理问题，预计在35年内取

得突破性进展。

研究内容框架

研究内容分为四个层次：基础理论层重点发展包含SOC效应的量子退相干理论；

方法开发层专注于高效数值算法的实现与优化；材料筛选层通过高通量计算评估各类

SOC材料的性能；应用设计层探索基于理论结果的量子比特架构优化。各层次相互支撑，

形成完整的研究链条。特别关注拓扑绝缘体表面态、量子自旋霍尔边缘态和Majorana

费米子等新型量子态的退相干特性。

创新点与突破方向

本研究的创新点主要体现在三个方面：一是首次将拓扑保护机制纳入退相干时间

计算框架；二是开发了结合机器学习的高效参数优化算法；三是建立了从微观相互作用

到宏观相干时间的多尺度模型。预期突破方向包括：(1)发现SOC材料中新的退相干

抑制机制；(2)将计算精度提高一个数量级；(3)提出具有实际应用价值的量子比特设