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AlGaN/GaN肖特基势垒二极管：工艺与结构的协同优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电力电子技术在各个领域的应用愈发广泛，从日常的电子设备到工业自动化、新能源发电以及智能电网等大型系统，都离不开电力电子器件的支持。肖特基势垒二极管作为电力电子器件中的重要一员，以其独特的性能优势在众多应用场景中发挥着关键作用。传统的Si基肖特基二极管由于材料本身的限制，在面对日益增长的高功率、高效率需求时，逐渐显得力不从心，已接近其理论极限。为了突破这一瓶颈，进一步提高能源转换效率和功率密度，宽禁带半导体材料如GaN、SiC等应运而生，成为研究的焦点。

AlGaN/GaN肖特基势垒二极管基于AlGaN/GaN异质结结构，充分利用了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）现有的研究成果，在继承了GaN材料宽带隙、高击穿场强、高饱和电子速度以及良好的热导率等优良特性的基础上，展现出导通电阻低、耐高压、开关速度快、耐高温等显著优势，逐渐成为电力电子以及微波通信等领域的重点研究对象。在电力电子领域，它可用于高效的功率转换电路，如开关电源、逆变器等，有助于提升电力系统的能源利用效率，减少能量损耗，推动电力设备向小型化、轻量化发展；在微波通信领域，其出色的高频特性使其能够满足5G乃至未来6G通信系统对高速、高效信号处理的需求，为实现更快速、稳定的无线通信提供有力支持。

然而，随着研究的不断深入，AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的一些弱点也逐渐暴露出来。例如，其反向漏电流较大、击穿电压有待进一步提高、可靠性问题等，这些问题严重制约了其在实际应用中的性能表现和推广范围。而深入探究发现，这些弱点与器件的结构设计以及制备工艺紧密相关。不同的制备工艺参数，如外延生长条件、电极制备工艺、钝化层的选择和制备等，会直接影响到材料的晶体质量、界面特性以及器件内部的电学性能，进而对二极管的各项性能指标产生显著影响。同样，器件的结构设计，包括电极布局、势垒层厚度和组分的优化、缓冲层的设计等，也在很大程度上决定了二极管的性能。因此，对AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的工艺制备流程进行优化，探索更合理的结构设计方案，对于提升其性能、解决现存问题、拓展应用领域具有至关重要的意义，不仅有助于推动电力电子和微波通信等相关领域的技术进步，还能为实现节能减排、绿色发展的目标做出积极贡献。

1.2国内外研究现状

在过去的几十年里，国内外科研人员围绕AlGaN/GaN肖特基势垒二极管展开了广泛而深入的研究。在工艺制备方面，低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等技术已成为生长高质量AlGaN/GaN异质结构的主流方法。通过精确控制生长过程中的温度、气体流量、压强等参数，能够有效调控材料的晶体质量、组分和厚度均匀性。对于电极制备工艺，磁控溅射、电子束蒸发等技术被广泛应用于沉积欧姆接触电极和肖特基接触电极。研究人员通过优化金属材料的选择和配比，如常见的Ti/Al/Ni/Au、Ni/Au等金属组合，以及对电极进行退火处理，显著降低了接触电阻，提高了电极与半导体之间的接触性能。在钝化工艺上，SiN、SiO?、Al?O?等钝化层材料被用于保护器件表面，减少表面态和漏电，改善器件的电学性能。

在结构优化方面，众多新颖的结构被提出并研究。例如，带有浮动金属环的结构通过引入浮动金属环，改变了器件内部的电场分布，有效降低了阳极边缘的电场峰值，从而提高了击穿电压。P型掺杂缓冲层结构则通过在缓冲层中进行P型掺杂，增强了对二维电子气的限制作用，降低了漏电流，提升了器件的可靠性。此外，一些研究还关注于通过调整势垒层的Al组分分布、引入超晶格结构等方式，来优化器件的电学性能。

尽管国内外在AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的研究上取得了丰硕的成果，但目前仍存在一些亟待解决的问题。在工艺制备方面，不同制备工艺之间的兼容性和稳定性仍有待提高，工艺的重复性和一致性问题也制约着器件的大规模生产和应用。一些先进的制备工艺虽然能够实现高性能器件的制备，但往往成本高昂、工艺复杂，难以满足工业化生产的需求。在结构优化方面，虽然提出了许多新颖的结构，但部分结构在实际制备过程中面临着工艺难度大、成品率低等问题。对一些新型结构的工作机理和性能优化机制的理解还不够深入，缺乏系统的理论研究和实验验证，这也限制了进一步的性能提升和结构创新。

1.3研究内容与方法

本文主要聚焦于AlGaN/GaN肖特基势垒二极管，深入开展工艺制备与结构优化的研究工作。在工艺制备方面，全面且细致地对器件流片过程中的关键工艺步骤展开优化研究。针对欧姆电极，深入分析Ti/Al比例和Ti/Al厚度对其比接触电阻率产