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VDMOS性能退化与接触热阻关联机制及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术迅猛发展的浪潮中，各种电子设备对高性能、高可靠性的功率器件需求与日俱增。垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VerticalDouble-DiffusedMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，VDMOS）作为功率半导体器件家族的重要成员，凭借其高输入阻抗、快速开关速度、良好热稳定性以及能够承受高电压和大电流等卓越特性，在众多领域发挥着不可或缺的关键作用。

在电源管理领域，VDMOS广泛应用于开关电源。开关电源作为电子设备的核