离子注入调控氧化锌晶体光学性能的深度解析与前沿探索.docx

离子注入调控氧化锌晶体光学性能的深度解析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，宽禁带半导体以其独特的物理性质和卓越的性能，逐渐成为材料科学领域的研究焦点。其中，氧化锌（ZnO）晶体作为一种典型的宽禁带半导体材料，凭借其禁带宽度约为3.37eV以及高达60meV的激子结合能，展现出了在光电器件领域的巨大应用潜力。

从光学性能上看，ZnO晶体在紫外光区域具有良好的光学响应，这使得它在紫外探测器、紫外发光二极管（LED）等光电器件中具有不可或缺的地位。例如，基于ZnO的紫外探测器能够对紫外光进行灵敏检测，具有高灵敏度、快速响应等优点，可广泛应用于环境监测