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大宗气体纯化原理介绍(技术分享)

工艺用途

纯化原理

吸气剂

分子筛

催化剂

常规原理图

大宗气体工艺用途

大宗气体在半导体工艺中应用广泛，因其使用量大，同时也被成为BulkGas；相对使用量较少的气体被称为SpecialGas(特殊气体)

常规大宗气体包含N2,O2,AR,H2,He5种，部分企业亦包含压缩空气CDA(分为高压HPCDA和低压LPCDA)

气体

化学式

用途

氮气

N2

腔体吹扫清洁，N2Stocker，气阀驱动，扩散工艺形成氮化膜等

氧气

O2

扩散或外延工艺形成氧化膜等

氩气

Ar

离子注入工艺形成Plasma等

氢气

H2

扩散工艺高温催化反应等

氦气

He

晶圆冷却，载气，腔体泄露检测等

压缩空气

CDA

驱动，成品Wafer保存，光刻设备内正压维持，掩摸片保管，晶圆盒烘干

大宗气体纯化介绍

原料气

单一普通气体

GeneralGas

杂质浓度：1ppm

纯化器

纯化气体

PurifiedGas

杂质浓度：＜1ppb

N2

O2

Ar

空气分离萃取

CH4+H2OCO+H2

天然气裂解

天然气分离萃取

CH4,CxHy,HeHe

H2

He

CO、CO2、CH4、H2O

O2、N2、Ar

脱除杂质

N2

O2

Ar

H2

He

分离萃取

纯化器原理

反应机理

过程

反应成分

处理杂质

反应条件

化学反应

①不可逆反应

高温吸气剂：锆基合金

CO,CO2,O2,H2O,N2,THC

350~450℃

②可逆反应(氧化还原)

催化脱氧器：镍、锰

O2(CO,H2)

常温可吸附O2

通入H2,加热解吸附

③催化反应

钯触媒

CO,H2,THC

通入O2,加热到300℃反应

物理吸附

④常温吸附

镍催化器+分子筛

CO,CO2,H2O,H2,NMHC

常温吸附

加热到300℃通气解吸附

⑤低温吸附

分子筛+活性炭+硅胶

CO,CO2,H2O,O2,N2,AR,THC

通入-190℃液氮低温吸附，

加热到60~80℃解吸附

其他

物理穿透/阻碍

⑥锆基合金

H2

常温

⑦钯膜穿透

H2

常温

气体纯化方式

He、Ar

①+⑥

H2

①

N2、O2

③+④

吸气剂（Getter）

材料及原理介绍

吸气剂广泛应用于真空管净化，大宗气体提纯等工序中，大宗气体纯化器中常见成分以锆为基，添加其他元素形成的具有高吸收活性气体特性的锆合金。

Zr为在元素周期表中处于过渡金属，为变价态种类，与其它金属形成非蒸散型合金Zr5AL4,Zr5AL3,Zr3AL2,Zr2AL

Zr活性高，扩散活化能低，表面吸附气体时，在一定温度下从表面向体内中心扩散，导致表面浓度降低，可持续吸附气体杂质

容易吸收H,N,O,对氧气亲和力强；可吸收：O2,N2,CO2,CO,H2,CH4,H2O气体杂质

高温时吸气率高，吸气量大，但不能吸收He，Ar，Ne等惰性气体；一般用此来精制惰性气体

吸气剂种类

蒸散型

以钡，锶，镁，钙为主

非蒸散型

直接捣碎型

涂覆型

多空烧结型

氢化粉碎型

Ti,Zr,Hf,Th

与Al或第一过渡

元素组成合金

制备工艺

蒸散吸气

表面吸附

吸气理论

内部扩散

表面吸附

吸气理论

内部扩散

吸气材料经过合金熔炼、破碎、粉制、

压制成型后不需要烧结就可以直接使用

吸气材料经合金熔炼、破碎、制粉与成型剂混合调制成浆状，直接涂覆在所需要材料或器件的表面，激活后使用

压制成型后经过高温、高真空烧结，与直接破碎型相比，由于经过了高温，高真空烧结，机械强度较好此类吸气材料

一些不易破碎，并且在机械破碎中容易自燃和氧化的合金，采用氢化法粉碎能避免以上缺点。将熔炼好的合金锭放入容器中，预先抽真空并冲入大量的氢气，一定时间后，铸锭强烈吸氢，产生氢脆粉化而制得。

在受热蒸散时，飞溅出来的钡原子与管内空间的气体分子相碰撞，在碰撞过程中有的钡原子仅仅改变其蒸散方向，有的则与气体分子起化学作用，产生相应的化合物，并且沉积在管壳内表面上，结果管内空间的气体浓度减少了，残余气体大部分被吸收了。

当气体分子碰撞固体表面时，它可能被弹回，也可能被吸附，被吸附的分子可能被吸附得很牢，也可能只被很微弱的力所束缚。

当气体分子碰撞固体表面时，它可能被弹回，也可能被吸附，被吸附的分子可能被吸附得很牢，也可能只被很微弱的力所束缚。

铝合环片形

最佳吸气温度：350~450℃，

激活温度：850~950℃

复合带形

锆石墨吸气剂

锆钒铁合金

锆铝合金应用

原理同上

吸气剂：吸收气体杂质达到纯化目的，高温效果显著，不可逆反应，本文主要讨论大宗气常规用的锆基合金

吸气剂-高温锆基合金(Zr)

Zr

350~450℃

CO

CO2

H2O

O2

N2

THC

C

O

N

H2

H

H

特性

介绍

可纯化气体

He、Ar、H2(常温)

可去除杂质