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CMOS工艺下低相位噪声LCVCO的优化设计与实践研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今高度数字化和信息化的时代,集成电路技术作为现代电子信息技术的核心,正以前所未有的速度蓬勃发展。从我们日常使用的智能手机、平板电脑,到高性能的计算机、通信基站,再到先进的航空航天设备,集成电路无处不在,它已经成为推动各个领域技术进步和创新的关键力量。在众多集成电路制造工艺中,CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺凭借其独特的优势,逐渐占据了主导地位。
CMOS工艺具有低功耗、高集成度、成本低等显著特点,这些优势使
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