半导体物理基础第一章课件.pptVIP

1.10非均匀半导体中的自建场1、半导体中的静电场和势电场与静电势的关系：电势与电子势能的关系：*第61页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.10非均匀半导体中的自建场费米势：当电子占据费米能级时所具有的电势于是有（以静电势表示的载流子浓度）VT称为半导体的热电势*第62页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.10非均匀半导体中的自建场在热平衡状态下，费米势为常数，通常作为零电势基准，则有以静电势表示的载流子浓度*第63页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7载流子的统计分布1.7.2费米分布函数与费米能级热平衡状态下，一个能量为E的电子态被电子占据的概率为称为费米分布函数。说明每个电子态被电子占据的概率随能量E变化*第29页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7载流子的统计分布K为波尔兹曼常数，T为绝对温度。室温下（300K）为0.0258ev。EF为费米能级：被电子占据的概率为1/2是反应电子在各个能级中分布情况的参数；费米能级高，说明电子占据高能级的概率大；费米能及是电子填充能级水平高低的标志*第30页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7载流子的统计分布费米能级随温度以及杂质的种类和多少的变化而变化；热平衡系统的费米能及恒定相应的，能量为E的量子态未被电子占据，既被空穴占据的概率为*第31页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7载流子的统计分布对于E-EF》KT的能级，对于E-EF《KT的能级，称为经典的玻尔兹曼分布。*第32页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.3能带中电子和空穴的浓度1、导带电子浓度其中称为导带有效状态密度*第33页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.3能带中电子和空穴的浓度2、价带空穴浓度其中称为价带有效状态密度*第34页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.3能带中电子和空穴的浓度导带电子浓度和价带空穴浓度之积式中Eg为禁带宽度。与温度有关，可以把它写成经验关系式其中为禁带宽度温度系数，Eg0为0K时的Eg值。*第35页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.3能带中电子和空穴的浓度化简后得到其中K1为常数结论：在温度已知的半导体中，热平衡情况下，np之积只与状态密度和禁带宽度有关，而与杂质浓度和费米能级的位置无关。*第36页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.4本征半导体本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。未激发时，价电子全部位于价带。本征激发：温度升高时，价电子冲破共价键束缚到达导带。电子-空穴对：n=p，称为电中性条件。得到本征费米能级，近似为禁带中央能量，称为Ei。*第37页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.4本征半导体本征载流子浓度ni和pi：称为质量作用定律。在非本征半导体情况下同样适用。在热平衡情况下，已知ni和一种载流子的浓度，可以求得另外一种载流子的浓度*第38页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.4本征半导体也可以把电子和空穴浓度写成下面的形式：1-7-14和1-7-17比1-7-28和1-7-29更常用。*第39页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.5只有一种杂质的半导体1、N型半导体载流子的来源包含两个过程：本征激发和杂质电离在低温条件下：杂质电离为主在高温条件下：本征激发为主杂质饱和电离：杂质基本上全部电离，而本征激发可以忽略。*第40页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.5只有一种杂质的半导体在杂质饱和电离的温度范围内，导带电子浓度等于施主浓度价带空穴的浓度为载流子浓度关系：电子浓度与施主浓度近似，远大于本征载流子浓度，空穴浓度远小于本征载流子浓度。*第41页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.5只有一种杂质的半导体N型半导体：导带电子为多子，价带空穴为少子。两种载流子的浓度相差非常悬殊N型半导体在饱和电离下的费米能级结论：N型半导体费米能级位于导带底之下，本征费米能级之上，且施主浓度越高，越靠近导带底；温度升高，费米能级远离导带底。*第42页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.5只有一种杂质的半导体2、P型半导体在杂质饱和电离的温度范围内有：导带电子浓度为：费米能级为*第43页，共89页，星期日，2025年，2月5日1.7.5只有一种杂质的半导体结论：对于P型半导体，在杂质饱和电离温度范围