【中邮-2025研报】北方华创（002371）：超高深宽比刻蚀助力3DNAND扩产.pdfVIP

证券研究报告：电子|公司点评报告

发布时间：2025-12-10

股票投资评级北方华创(002371)

买入|维持超高深宽比刻蚀助力3DNAND扩产

个股表现l投资要点

预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。

57%北方华创电子受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求

50%

43%激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过

36%

29%1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到

22%1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增

15%

8%长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球

1%

-6%300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全

-13%

2024-122025-022025-052025-072025-092025-12球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以

1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间

资料来源：聚源，中邮证券研究所

以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来

三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关

公司基本情况

领域预计将在未来三年间投资270亿美元。

最新收盘价（元）457.46晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，

总股本/流通股本（亿股）7.24/7.24推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，

总市值/流通市值（亿元）3,314/3,312已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及

52周内最高/最低价468.00/318.60以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临

资产负债率(%)51.0%严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关

市盈率43.27键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技

北京七星华电科技集团术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）

第一大股东

有限责任公司将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工

艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”

研究所栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复

杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，

分析师:吴文吉

SAC登记编号:S1340523050004刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上

Email:wuwenji