2025光电测试技术试题及答案.docxVIP

2025光电测试技术试题及答案

一、单项选择题（每题3分，共15分）

1.以下哪种光电效应属于外光电效应？

A.光伏效应

B.光电导效应

C.光电发射效应

D.光热效应

答案：C

解析：外光电效应指光照射金属或半导体表面时，电子逸出表面形成光电子的现象（如光电管）；内光电效应指光生载流子仍保留在材料内部（如光伏、光电导效应）；光热效应是光能量转化为热能引起物理参数变化，不属于光电效应。

2.某光电探测器在波长850nm、光功率10μW下输出电流2.5μA，则其响应度R为：

A.0.25A/W

B.2.5A/W

C.0.25W/A

D.2.5W/A

答案：A

解析：响应度R=输出电流I/输入光功率P=2.5μA/10μW=0.25A/W（注意单位换算：1μA=10??A，1μW=10??W，比值单位为A/W）。

3.以下关于LED与LD的描述，错误的是：

A.LED发光基于自发辐射，LD基于受激辐射

B.LED光谱宽度较宽，LD光谱宽度较窄

C.LED输出功率通常高于LD

D.LED更适合用于短距离光通信

答案：C

解析：LD通过受激辐射实现激光输出，功率密度更高；LED为非相干光源，功率通常低于LD，但其成本低、寿命长，适合短距离传输。

4.相位调制型光纤传感器中，常用的相位解调方法是：

A.强度检测法

B.迈克尔逊干涉法

C.波长扫描法

D.偏振态分析法

答案：B

解析：相位调制信号需通过干涉仪（如迈克尔逊、马赫-曾德尔干涉仪）将相位变化转化为光强变化，再通过光电探测器解调；强度检测法适用于强度调制型传感器。

5.某光谱仪的线色散率为0.5nm/mm，CCD像元尺寸为14μm，则其理论分辨率（半高全宽）约为：

A.0.007nm

B.0.07nm

C.0.7nm

D.7nm

答案：B

解析：分辨率R=线色散率×像元尺寸=0.5nm/mm×14μm=0.5nm/mm×0.014mm=0.007nm？错误！正确计算应为：线色散率D=Δλ/Δx（nm/mm），像元宽度Δx=14μm=0.014mm，因此可分辨的最小波长差Δλ=D×Δx=0.5nm/mm×0.014mm=0.007nm？但实际光谱仪分辨率受衍射极限限制，通常取像元宽度对应的波长间隔为理论分辨率，故正确答案为0.007nm？需修正：线色散率单位为nm/mm，即每毫米对应的波长范围。像元尺寸14μm=0.014mm，因此每个像元对应的波长范围是0.5nm/mm×0.014mm=0.007nm，即理论分辨率约为0.007nm。但常见光谱仪分辨率一般为0.1nm级，可能题目参数设置问题，此处按公式计算选A？但原题可能存在误差，正确应为0.007nm（A）。

二、填空题（每空2分，共20分）

1.光电探测器的主要噪声类型包括热噪声、散粒噪声、__________和__________。

答案：产生-复合噪声；1/f噪声（或低频噪声）

2.光谱分辨率通常定义为可分辨的最小波长差，其表达式为__________（λ为中心波长，Δλ为半高全宽）。

答案：R=λ/Δλ

3.光调制中，调制深度m的定义为__________（I_max为调制光强最大值，I_min为最小值）。

答案：m=(I_max-I_min)/(I_max+I_min)

4.马赫-曾德尔干涉仪的核心结构是两个__________和两个__________。

答案：分束器；反射镜

5.CCD器件的电荷转移效率η需满足__________（η接近1时，转移损失可忽略），其动态范围由__________和__________共同决定。

答案：η≈1（或η≥0.999）；满阱电荷；读出噪声

三、简答题（每题8分，共40分）

1.比较PIN光电二极管与雪崩光电二极管（APD）的优缺点。

答案：PIN二极管通过本征层展宽耗尽区，提高响应速度和量子效率，结构简单、噪声低（仅热噪声和散粒噪声），但无内部增益，适用于低噪声、中灵敏度场景；APD利用雪崩倍增效应实现内部电流增益（增益因子G可达100-1000），灵敏度高，适合弱光检测，但倍增过程会引入额外的雪崩噪声（噪声因子F1），且需要高反向偏压（几十至几百伏），温度敏感性强（需温度补偿）。

2.说明锁相放大器（LIA）的工作原理及其在弱信号检测中的优势。

答案：锁相放大器基于相关检测原理，核心由参考信号源、混频器（乘法器）和低通滤波器组成。输入信号（含噪声）与同频同相的参考信号相乘，经低通滤波后，仅与参考信号相