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双电层晶体管：开启神经形态器件与系统的创新变革

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化信息爆炸的时代，数据量呈指数级增长，传统计算技术面临着前所未有的挑战。传统的冯?诺依曼架构计算系统以其“存储-计算”分离的模式运行，数据在存储单元和计算单元之间频繁传输，这不仅导致了数据处理的延迟，还消耗了大量的能量，形成了所谓的“存储墙”和“功耗墙”问题。随着摩尔定律逐渐逼近极限，晶体管尺寸的缩小愈发困难，传统计算架构的性能提升也变得极为缓慢，难以满足如人工智能、大数据处理、物联网等新兴领域对高效、低功耗计算的迫切需求。

类脑智能计算作为一种新兴的计算范式，旨在模仿人类大脑的结构和工作原理，构建全新的计算系统，为解决传统计算面临的困境提供了新的思路。人类大脑拥有约860亿个神经元，这些神经元通过超过100万亿个突触相互连接，形成了一个极其复杂而高效的神经网络。大脑能够以极低的功耗实时处理各种复杂信息，实现感知、学习、记忆、推理等多种智能行为，这是传统计算系统难以企及的。通过借鉴大脑的工作机制，类脑智能计算有望实现高效的并行计算、低功耗运行以及强大的自适应学习能力，从而为人工智能的发展带来质的飞跃，推动其在更广泛领域的应用，如医疗诊断、智能交通、智能家居等，对社会的发展产生深远影响。

双电层晶体管作为一种新型的晶体管结构，在神经形态系统中展现出了关键作用。它利用双电层电容的特性，能够在较低的电压下实现对载流子的有效调控，具有低功耗、高开关速度和高集成度等优点。这些特性使得双电层晶体管非常适合用于构建神经形态器件，模拟生物神经元和突触的功能。通过精确控制双电层晶体管的电学特性，可以实现对突触权重的精确调节，模拟生物突触的可塑性，即突触连接强度随神经元活动而改变的特性，这是大脑学习和记忆的基础。双电层晶体管还可以用于构建神经元器件，模拟神经元的信息处理和脉冲发放等功能。因此，深入研究双电层晶体管在神经形态系统中的应用，对于推动类脑智能计算的发展，实现真正意义上的“类脑芯片”具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

在国际上，双电层晶体管神经形态器件与系统的研究已取得了一系列重要成果。2009年，新加坡南洋理工大学和美国奥本大学的研究团队报道了首个双电层IGZO晶体管，为后续研究奠定了基础。此后，各国科研人员在材料、结构和性能优化等方面不断探索。在材料方面，多种氧化物半导体材料如ZnO、SnO?、In?O?等被应用于双电层晶体管，以提升其电学性能和稳定性。在结构设计上，不断创新以实现更好的电荷调控和信号传输，如采用多栅结构增强对载流子的控制能力。在神经形态应用方面，成功模拟了生物突触的多种功能，包括短/长程记忆、尖峰时间依赖的可塑性（STDP）等。例如，有研究通过优化双电层晶体管的参数，实现了对突触权重的高精度调节，使其在模式识别等任务中表现出良好的性能。

国内在该领域的研究也发展迅速。南京大学的研究小组在国际上率先采用界面质子双电层调控手段研制超低压非晶氧化物双电层晶体管，并深入探索其在神经形态电子学领域的应用。他们成功研制了一系列基于氧化物双电层晶体管的人造突触和人造神经元器件，实现了生物突触的多种功能仿生，为“类脑芯片”研制和神经形态工程应用奠定了坚实基础。此外，国内其他科研机构和高校也在积极开展相关研究，在材料创新、器件制备工艺和系统集成等方面取得了一定进展，推动了双电层晶体管神经形态器件与系统的发展。目前，国内外研究主要集中在提升器件性能、优化制备工艺以及拓展应用领域等方面，但在器件的稳定性、可靠性以及大规模集成等方面仍面临挑战，需要进一步深入研究。

1.3研究目的与创新点

本研究旨在深入剖析双电层晶体管神经形态器件与系统，从材料、器件结构、性能优化到系统集成等多个层面进行全面研究，揭示其工作机制和性能规律，为类脑智能计算的发展提供理论支持和技术基础。

在研究中，提出了一系列创新思路与方法。在材料选择上，创新性地探索新型复合材料体系，将具有特殊电学和物理性质的材料进行复合，以提升双电层晶体管的性能，例如尝试将二维材料与传统氧化物半导体结合，利用二维材料的高载流子迁移率和独特的电学特性，改善双电层晶体管的电荷传输和调控能力。在器件结构设计方面，提出了一种新型的多尺度结构，通过在不同尺度上对器件进行优化，实现更好的电荷分布和信号传输，如在纳米尺度上精确控制电极和介质层的尺寸和形状，在微米尺度上设计独特的布局，以提高器件的集成度和性能。在神经形态系统构建方面，创新地采用了一种基于动态突触权重分配的算法，使系统能够根据输入信息的特征动态调整突触权重，提高系统的自适应学习能力和处理复杂任务的能力，从而在图像识别、语音处理等应用中取得更优异的性能。

二、双电层晶体管与神经形态系