第6章 半导体器件.pptVIP

第6章半导体器件6.4.1双极晶体管的结构BECECBNPNEBCPNPEBC中间较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型E－B间的PN结称为发射结；C－B间两的PN结称为集电结。箭头代表发射结正向接法下发射极电流的实际方向。第30页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.1双极晶体管的结构发射区掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，基区掺杂浓度低且制造的很薄。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。BECECBNPNEBCPNPEBC第31页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用BECNNP基极发射极集电极发射结集电结BJT是非线性元件，其工作特性与其工作模式有关：当EB结和CB结均加正偏时,BJT处于饱和模式;当EB结加零偏或反偏、CB结加反偏时,BJT处于截止模式。BJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。第32页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用1.电流放大原理以NPN型BJT为例讨论，其结论同样适用于PNP型BJT，不同的是外加电压与前者相反。输入回路输出回路共射极放大电路工作的基本条件：EB结正偏；CB结反偏。VCCVBBVEE第33页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用BJT的放大作用可表现为：用较小的基极电流控制较大的集电极电流，或将较小的电压按比例放大为较大的电压。a)．EB结加正偏,扩散运动形成IE。b)．扩散到基区的自由电子与空穴复合形成IB。c)．CB结加反偏,漂移运动形成IC。1．BJT内部载流子运动第34页，共70页，星期日，2025年，2月5日BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。RC第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用第35页，共70页，星期日，2025年，2月5日BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO?ICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流ICEO：基极开路时集电极与发射极在VCC反偏作用下的电流，称为穿透电流。分析时可忽略，但可反映BJT的质量。第36页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用IB=IBE-ICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO?ICEIBE第37页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.2双极晶体管的电流放大作用2.电流分配关系忽略对极间电流影响较小的电子和空穴运动形成的电流，BJT中电流关系为：IE=IC+IB3.BJT电流放大系数共射极直流电流放大系数:β≈IC/IB∴IE≈(1+β)IB共射极交流电流放大系数:β≈△iC/△iBβ≈β，β由BJT制造时材料掺杂浓度决定。第38页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.3双极晶体管的特性ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB输入回路输出回路RC实验线路第39页，共70页，星期日，2025年，2月5日第6章半导体器件6.4.3双极晶体管的特性1.输入特性工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.4V。UCE?1VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。第40页，共70页，星期日，2025年，