第一章 半导体二极管及其基本电路.ppt

发射区：发射载流子（IE）基区：载流子复合（IB）与扩散集电区：收集扩散载流子（InC）并存在反向漂移电流（ICBO）（以NPN为例）1.内部载流子传输过程载流子的传输过程动画播放1.3.2载流子的运动和电流分配关系*第61页，共98页，星期日，2025年，2月5日2.电流分配关系根据传输过程可知：IC=InC+ICBOIB=IB’-ICBO通常：ICICBO?为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般?=0.9?0.99IE=IB+IC三极管的工作原理*第62页，共98页，星期日，2025年，2月5日根据?是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般?1IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令：ICEO=(1+?)ICBO（穿透电流）2.电流分配关系三极管的工作原理*第63页，共98页，星期日，2025年，2月5日电压增益电流增益互导增益信号源负载放大作用简释：模拟信号的放大互阻增益三极管的工作原理2.电流分配关系*第64页，共98页，星期日，2025年，2月5日3.三极管的三种组态共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。BJT的三种组态三种组态三极管的工作原理*第65页，共98页，星期日，2025年，2月5日4.放大作用若?vI=20mV使当则电压放大倍数RLecb1k?共基极放大电路VEEVCCVEBIBIEIC+-?vI+?vEB?vO+-+?iC+?iE+?iB?iE=-1mA，?iC=??iE=-0.98mA，?vO=-?iC?RL=0.98V，?=0.98时，共基放大三极管的工作原理*第66页，共98页，星期日，2025年，2月5日+-bceRL1k?共射极放大电路IE+-?vI+?vBE?vO+-+?iC+?iE+?iB?vI=20mV设若则电压放大倍数?iB=20uA?vO=-?iC?RL=-0.98V，?=0.98使共射放大4.放大作用三极管的工作原理*第67页，共98页，星期日，2025年，2月5日综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。总结三极管的工作原理*第68页，共98页，星期日，2025年，2月5日iB=f(vBE)?vCE=const(2)当vCE≥1V时vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）图vCE=0VvCE=0VvCE?1V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE1.3.3三极管的特性曲线*第69页，共98页，星期日，2025年，2月5日三极管特性曲线（输入）(3)输入特性曲线的三个部分①死区②非线性区③线性区iB=f(vBE)?vCE=const1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）图+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE三极管的特性曲线*第70页，共98页，星期日，2025年，2月5日雪崩击穿：随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，阻挡层中载流子的漂移速度相应加快，致使动能加大。当反向电压增大到一定数值时，载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对。新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子－空穴对。如此连锁反应使得阻挡层中载流子的数量急剧增多，因而流过PN结的反向电流也就急剧增大。因增长速度极快，象雪崩一样，所以将这种碰撞电离称为雪崩击穿(AvalancheMultiplieation)PN结的击穿*