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2025年(微电子科学与工程)光电子技术试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于半导体发光二极管（LED）与激光二极管（LD）的描述中，错误的是：

A.LED发光基于自发辐射，LD发光基于受激辐射

B.LED的光谱宽度通常大于LD

C.LD需要满足阈值条件才能输出激光，LED无此要求

D.LED的调制速率通常高于LD

答案：D（LD因受激辐射的相干性和阈值特性，调制速率通常高于LED）

2.某GaAs材料的禁带宽度为1.42eV，其本征吸收边对应的波长约为（普朗克常数h=6.626×10?3?J·s，光速c=3×10?m/s，1eV=1.6×10?1?J）：

A.873nm

B.650nm

C.1310nm

D.1550nm

答案：A（λ=hc/Eg=(6.626×10?3?×3×10?)/(1.42×1.6×10?1?)≈873nm）

3.光纤通信中，单模光纤的截止波长λc与纤芯半径a、相对折射率差Δ的关系为：

A.λc=2πa√(2n?2Δ)/Vc（Vc为归一化截止频率）

B.λc=2πa√(n?2-n?2)/Vc

C.λc=πa√(2n?2Δ)/Vc

D.λc=πa√(n?2-n?2)/Vc

答案：B（单模光纤截止条件为归一化频率V=2πa√(n?2-n?2)/λ≤Vc≈2.405，故λc=2πa√(n?2-n?2)/Vc）

4.以下光电探测器中，响应速度最快的是：

A.PIN光电二极管

B.雪崩光电二极管（APD）

C.光电倍增管（PMT）

D.光敏电阻

答案：B（APD利用雪崩倍增效应，响应时间可达ps级，快于PIN的ns级；PMT虽快但为真空器件，非半导体探测器；光敏电阻基于载流子复合，响应最慢）

5.马赫-曾德尔（M-Z）电光调制器的半波电压Vπ定义为：

A.使两臂相位差为π时所需的驱动电压

B.使输出光强从最大值降至最小值时所需的驱动电压

C.使调制器消光比达到最大时的驱动电压

D.使调制效率最高时的驱动电压

答案：A（半波电压是指引起π相位差的驱动电压，此时输出光强从最大变为最小，对应B为结果而非定义）

6.分布式反馈激光器（DFB-LD）中，布拉格光栅的周期Λ与激射波长λ的关系为（n为有效折射率）：

A.Λ=λ/(2n)

B.Λ=λ/n

C.Λ=2λ/n

D.Λ=λ/(4n)

答案：A（布拉格条件为2nΛ=λ，故Λ=λ/(2n)）

7.以下关于光纤色散的描述中，错误的是：

A.模式色散仅存在于多模光纤中

B.材料色散由光纤材料折射率随波长变化引起

C.波导色散与光纤结构（如纤芯半径）无关

D.单模光纤的色散主要由材料色散和波导色散组成

答案：C（波导色散与光纤结构（如纤芯半径、折射率分布）密切相关）

8.某InGaAsPIN光电二极管的量子效率η=80%，入射光波长λ=1550nm，其响应度R为（e=1.6×10?1?C，h=6.626×10?3?J·s，c=3×10?m/s）：

A.0.8A/W

B.1.0A/W

C.1.2A/W

D.1.5A/W

答案：B（R=ηeλ/(hc)=0.8×1.6×10?1?×1550×10??/(6.626×10?3?×3×10?)≈1.0A/W）

9.以下哪种技术可用于实现光信号的波长转换？

A.半导体光放大器（SOA）的交叉增益调制（XGM）

B.马赫-曾德尔调制器的强度调制

C.法布里-珀罗滤波器的选频

D.掺铒光纤放大器（EDFA）的增益均衡

答案：A（SOA的XGM利用输入信号对载流子浓度的调制，实现不同波长信号的转换；B为调制而非转换；C为滤波；D为增益补偿）

10.激光的纵模数量由以下哪个参数决定？

A.谐振腔的腔长L和折射率n

B.激活介质的增益线宽Δνg

C.谐振腔的自由光谱范围（FSR）ΔνFSR

D.以上均需考虑

答案：D（纵模数量=Δνg/ΔνFSR，其中ΔνFSR=c/(2nL)，故需同时考虑增益线宽和腔长/折射率）

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体激光器的阈值条件包括______条件和______条件，其中后者要求增益大于损耗。

答案：相位匹配（或谐振）；增益

2.光纤的数值孔径（NA）定义为______，其物理意义是______。

答案：√(n?2-n?2)（或n?√(2Δ)）；光纤能接收光的最大入射角的正弦值

3.光电探测器的噪声主要包括_