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碳化硅MOSFET器件阈值电压稳定性研究

一、引言

在电力电子领域，宽禁带半导体器件凭借其高击穿场强、高电子迁移率和耐高温特性，正逐步替代传统硅基器件，成为推动能源转换与传输效率提升的核心技术。碳化硅（SiC）MOSFET作为其中的典型代表，因其在高压、高频、高温场景下的优异性能，被广泛应用于电动汽车、光伏逆变器、智能电网等领域。然而，实际应用中，碳化硅MOSFET的阈值电压（Vth）常出现漂移、迟滞等不稳定现象，导致器件导通特性偏移、开关损耗增加，甚至引发系统失效。阈值电压的稳定性直接关系到器件的可靠性与长期工作性能，因此成为当前碳化硅器件研究的关键课题。本文将围绕阈值电压稳定性的基本特性、不稳定机制、表征方法及改善技术展开系统探讨，为提升碳化硅MOSFET的实用化水平提供理论支撑。

二、阈值电压的基本特性与稳定性内涵

（一）阈值电压的定义与物理意义

阈值电压是MOSFET器件的核心参数，通常定义为栅极电压达到使半导体表面反型、形成导电沟道时的最小电压值。对于碳化硅MOSFET而言，其阈值电压的计算需考虑碳化硅材料的宽禁带特性（约3.26eV，远高于硅的1.12eV）、氧化层与碳化硅界面的电荷分布，以及沟道载流子的迁移率等因素。与硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET的阈值电压普遍更高（通常在2-10V之间），这是由于碳化硅的禁带宽度大，需要更高的栅压才能诱导足够的反型载流子。阈值电压的稳定性，本质上是器件在不同工作条件（如温度、偏置应力、开关次数）下，阈值电压保持初始值的能力。稳定的阈值电压能确保器件在长期运行中保持一致的导通与关断特性，是系统设计中参数匹配的重要基础。

（二）稳定性问题的典型表现

实际运行中，碳化硅MOSFET的阈值电压不稳定性主要表现为两种形式：一是静态漂移，即在持续施加栅极偏置（如正向或负向偏压）或高温环境下，阈值电压随时间逐渐向单一方向偏移（如正向偏压下Vth正向漂移，负向偏压下Vth负向漂移）；二是动态迟滞，即器件在栅压扫描过程中（如从负向到正向或反向扫描），正向与反向扫描的转移特性曲线出现分离，导致阈值电压在不同扫描方向下呈现差异。这两种现象均会导致器件导通电阻增大、开关速度变慢，严重时可能引发误触发或无法关断的问题，尤其在高频、高压场景下，稳定性问题对系统可靠性的影响更为显著。

三、阈值电压不稳定的典型机制分析

要深入理解阈值电压的稳定性问题，首先需要明确其不稳定的内在物理机制。目前研究表明，碳化硅MOSFET阈值电压不稳定主要与界面态、电荷陷阱及载流子注入效应密切相关，这些机制相互作用，共同导致阈值电压的动态变化。

（一）界面态的动态捕获与发射

碳化硅MOSFET的栅氧化层（通常为SiO?）与碳化硅衬底（如4H-SiC）之间的界面是器件性能的关键区域。由于碳化硅与二氧化硅的晶格失配（约20%）及化学性质差异，界面处会产生大量的界面态（DIT），主要包括悬挂键、碳团簇、氧空位等缺陷。这些界面态具有能量分布特性，部分位于碳化硅禁带中，能够捕获或发射电子（n型器件）或空穴（p型器件）。当器件施加栅极偏压时，界面态会根据偏压极性捕获或释放载流子：例如，正向栅压下，界面态中的空穴被释放，电子被捕获，导致界面处净负电荷增加，阈值电压正向漂移；反向栅压下则相反，界面态捕获空穴，释放电子，净正电荷增加，阈值电压负向漂移。界面态的密度（通常在1011-1013cm?2eV?1之间）直接决定了阈值电压漂移的幅度，密度越高，漂移越显著。

（二）氧化层内电荷陷阱的充放电

除界面态外，氧化层内部的电荷陷阱（如氧空位、杂质离子等）也是导致阈值电压不稳定的重要因素。这些陷阱通常分布在氧化层内部或靠近界面的区域，其能量位置决定了是否能被热激活或隧穿效应填充。在高温或高栅压下，沟道中的载流子（电子或空穴）可通过福勒-诺德海姆隧穿（Fowler-NordheimTunneling）或热电子注入（HotCarrierInjection）进入氧化层，被陷阱捕获，形成固定电荷。例如，正向高栅压下，电子从沟道注入氧化层并被陷阱捕获，增加氧化层内的负电荷，导致阈值电压正向漂移；而在负向高栅压下，空穴可能被注入并捕获，形成正电荷，导致阈值电压负向漂移。氧化层厚度、陷阱密度及分布是影响这一过程的关键参数，较薄的氧化层（如≤50nm）更易发生隧穿注入，而陷阱密度越高，电荷积累效应越明显。

（三）高温与高压应力的协同作用

实际应用中，碳化硅MOSFET常工作于高温（如150℃以上）和高压（如1200V、1700V）环境，高温与高压的协同作用会加剧阈值电压的不稳定。一方面，高温会激活界面态和氧化层陷阱的热发射过程，加速载流子的捕获与释放，使阈值电压漂移速率加快；另一方面，高压会增强栅极电场，促进载流子向氧化层的注入，同时可能引发氧化层的