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微/纳米结构赋能氮化镓基发光二极管发光效率提升的深度剖析与实践探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，能源问题日益凸显，照明作为能源消耗的重要领域，其节能与高效的发展方向备受关注。发光二极管（LED）凭借其节能、环保、寿命长等诸多优势，逐渐成为照明领域的核心技术，掀起了一场照明革命。氮化镓（GaN）基LED由于其宽禁带特性，能够实现从紫外到蓝光甚至绿光的高效发光，在照明、显示、通信等领域展现出巨大的应用潜力，成为研究热点。在照明领域，GaN基LED被广泛应用于室内外照明，如街道照明、商业照明以及家庭照明等场景。相较于传统的白炽灯和荧光灯，GaN基LED照明灯具不仅能够显著降低能耗，还具备更高的发光效率和更长的使用寿命，有助于推动绿色照明的普及。在显示领域，GaN基LED是Micro-LED显示技术的关键组成部分，这种新型显示技术具有对比度高、响应速度快、色域宽、功耗低以及寿命长等优点，有望在未来的显示市场中占据重要地位，为消费者带来更加逼真、清晰的视觉体验。在光通信领域，GaN基LED也展现出独特的优势，其高速调制特性使其能够满足高速数据传输的需求，为光通信技术的发展提供了新的动力。

然而，GaN基LED在实际应用中仍面临一些挑战，其中发光效率的提升是关键问题之一。由于GaN材料与外界环境之间存在较大的折射率差异，这导致在LED内部产生的大量光子在出射过程中容易被限制在材料内部，发生全反射等现象，从而使得光取出效率较低，限制了整体发光效率的提升。为了克服这一难题，研究人员提出了多种方法，其中引入微/纳米结构成为提升GaN基LED发光效率的重要途径。微/纳米结构具有独特的光学特性，能够有效调控光的传播和散射。例如，通过在LED表面制备微/纳米结构，可以改变光子的出射角度，增加光子逃逸出材料的概率，从而提高光取出效率；同时，微/纳米结构还能够增强光与材料的相互作用，促进电子-空穴对的复合，提高内量子效率。因此，深入研究微/纳米结构增强GaN基LED发光效率的机制和方法，对于推动GaN基LED技术的发展和应用具有重要的现实意义。它不仅有助于提高LED产品的性能，降低成本，还能够进一步拓展其应用领域，满足不同行业对高效照明和显示技术的需求，对节能环保和信息显示技术的进步产生积极影响。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队和学者围绕微/纳米结构增强氮化镓基LED发光效率开展了广泛而深入的研究，取得了一系列具有重要价值的成果。在材料与结构设计方面，美国的一些研究团队致力于探索新型半导体材料与GaN的复合结构，通过精确控制材料的生长和界面特性，优化LED的发光性能。例如，研究人员尝试将量子点材料与GaN基LED相结合，利用量子点独特的量子尺寸效应，实现更窄的发射光谱和更高的发光效率，在提高色彩纯度和亮度方面取得了显著进展。国内的科研机构则在纳米结构的设计与优化上取得了突破。通过纳米技术对材料进行微观结构设计，成功实现了LED器件的尺寸缩小和性能提升。如通过在GaN基LED的ITO透明电极表面生长ZnO纳米棒阵列，建立三维数值模型并利用蒙特卡罗光迹追踪法进行仿真评估，发现相对于无ZnO纳米棒阵列的LED，光输出功率增加了69.4%，有效验证了该结构对光取出效率的增强作用。同时，深入研究了水热法生长ZnO纳米棒阵列工艺中种子层、反应溶液pH值和衬底表面对其形貌、覆盖率和光学特性的影响，在实验中获得了60.6%的光功率输出增加。

在制备工艺方面，国外研究团队不断改进和创新微/纳米结构的制备方法。如采用先进的光刻技术，如极紫外光（EUV）光刻，实现微纳米级别的图案转移，提高LED芯片的分辨率和性能；引入高速离子注入技术，提高离子注入效率，实现精确的掺杂分布，优化LED芯片的发光效率和寿命。国内则在图形化蓝宝石衬底（PSS）技术上不断优化。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜，并通过光刻和干法刻蚀技术制备SiO2图形化蓝宝石衬底（SPSS）。研究发现，SPSS上的GaN外延层位错密度较低，晶体质量较高，通过有限元差分（FDTD）模拟，SPSS-LED的光提取效率比常规图形化蓝宝石衬底（CPSS）-LED提高了26%，实际器件性能测试中，光输出功率和亮度也提高了约5%。

尽管国内外在该领域取得了显著成果，但目前的研究仍存在一些不足之处。一方面，对于微/纳米结构与GaN基LED之间的协同作用机制尚未完全明晰，尤其是在多物理场耦合作用下的发光过程，缺乏深入的理论分析和精确的