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探索石墨烯纳米结构：电子自旋输运性质、影响因素及应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的蓬勃发展历程中，石墨烯纳米结构凭借其独特的物理特性，已然成为该领域的研究焦点。自2004年英国曼彻斯特大学的安德烈?海姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（KonstantinNovoselov）首次成功从石墨中剥离出石墨烯以来，这种由碳原子以六边形蜂窝状排列组成的单层二维材料便在科学界和工业界引起了广泛关注，二人也因这一重大发现荣获2010年诺贝尔物理学奖。

从结构层面剖析，石墨烯的碳原子通过sp^2杂化形成了稳定的六角形蜂窝状平面结构，其厚度仅约为0.335纳米，是世界上最薄的材料。这种特殊的结构赋予了石墨烯许多优异的性质。在电学方面，石墨烯具备零带隙和高电子迁移率的特性，其电子迁移率可高达2\times10^5cm^2/(V·s)，远高于传统半导体材料，电子在其中传输时几乎不受散射，表现出优异的导电性，这使得石墨烯在电子学领域展现出巨大的应用潜力，有望用于制造高性能的电子器件，如超高速晶体管、逻辑电路和传感器等。在力学性能上，石墨烯的杨氏模量高达1.0TPa，强度是钢的100倍，同时还具备良好的韧性，这使其在高强度材料的应用中具有重要价值。此外，石墨烯还拥有出色的热学性能，其热导率可达5000W/(m?K)，远高于铜和铝等金属，在热管理领域有着潜在的应用前景。

而当石墨烯被加工成纳米结构，如纳米带、量子点和纳米杆等，由于量子限制效应和边缘效应的存在，其电子自旋输运性质展现出与普通石墨烯截然不同的特性。以石墨烯纳米带为例，它具有明显的能级分离和能带结构，纳米带的宽度和边缘形状对其输运性质有着显著影响。当纳米带的边缘具有对称性时，它将表现出导带和价带的能级反弹现象；而若边缘为非对称，电子则会发生反向转移，从价带向导带转移。此外，石墨烯纳米带还表现出阈值电场和尺寸效应，这些特性在设计和应用石墨烯电子器件时都需要充分考虑。石墨烯量子点具有禁闭能级和量子限制效应，其电子输运特性与普通石墨烯材料有很大的不同。通过改变量子点的结构，如调整其大小、形状和组成，以及将其与其他材料结合，可以改善其输运性质。在石墨烯量子点中添加杂原子或将其包覆在氧化物或半导体材料中，能够提高其导电性和电子输运性能。石墨烯纳米杆具有较长的扩散长度和优秀的电子传输性能，可应用于高灵敏度的传感器、电池等电子器件中。同时，由于其独特的电子束缚能和穿隧效应，石墨烯纳米杆还可用于构建高效能的纳米异质结构和量子点阵列。

深入探究石墨烯纳米结构的电子自旋输运性质，对于基础科学研究而言，有助于我们深入理解低维材料中的量子输运现象和电子相互作用机制，进一步丰富人们对凝聚态物理中电子行为的认知，为相关理论的发展提供关键的实验和理论支撑。从应用研究的视角出发，随着信息技术的飞速发展，对电子器件的性能提出了更高的要求，如更高的运行速度、更低的功耗和更小的尺寸等。对石墨烯纳米结构电子自旋输运性质的深入了解，能够为设计和开发高性能的自旋电子器件提供坚实的理论基础，推动石墨烯在高速晶体管、逻辑电路、传感器、存储器等电子器件领域的实际应用，助力提升电子信息技术的发展水平，甚至可能引发新一轮的技术革命，对国民经济和社会发展产生深远而持久的影响。

1.2国内外研究现状

在石墨烯纳米结构电子自旋输运性质的研究领域，国内外科研人员均投入了大量的精力，并取得了一系列具有重要价值的成果。

国外方面，众多顶尖科研团队在该领域持续深耕。例如，美国麻省理工学院的科研人员在石墨烯纳米带的研究中，通过先进的微加工技术制备出高质量的纳米带结构，利用低温输运测量系统，精确地研究了纳米带宽度和边缘粗糙度对电子自旋输运的影响，发现随着纳米带宽度的减小，自旋极化率呈现出显著的变化趋势，并且边缘粗糙度会导致自旋散射增强，从而降低自旋输运效率。英国曼彻斯特大学国家石墨烯研究所的科学家在量子电子学领域取得里程碑式突破，该团队关于石墨烯自旋注入的最新研究成果近期发表于《通讯-材料》（CommunicationsMaterials），揭示了自旋电子学与量子输运领域的革命性进展。他们开发了全封装技术，利用六方氮化硼包裹单层石墨烯以保持其优异性能，并通过特殊堆叠结构仅暴露石墨烯边缘，覆盖磁性纳米线电极形成一维接触界面。在20开尔文的低温实验中，这种一维接触展现出量子点接触（QPCs）特性，通过测量接触点的量子化电导，观察到电子能谱在注入后分裂为离散能级子带，通过调节石墨烯电子密度与施加磁场，首次实现了对这些子带的可视化观测及其与自旋输运的关联。

国内的科研机构和高校也在该领域积极探索，成果斐然。中国科学院的研究团队运用第一性原理计算和非平衡格林函数方法，系统地研究